WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018052633) TRANSISTORS AUTO-ALIGNÉS DESTINÉS À UN TRAITEMENT À DEUX CÔTÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/052633    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/047189
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 16.08.2017
CIB :
H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM SWITCH CORP. [US/US]; 4795 Eastgate Mall, Suite 100 San Diego, California 02121 (US)
Inventeurs : GOKTEPELI, Sinan; (US)
Mandataire : LENKIN, Alan M.; (US).
LUTZ, Joseph; (US).
PARTOW-NAVID, Puya; (US).
FASHU-KANU, Alvin V.; (US).
HSU, Teddie C.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/266,972 15.09.2016 US
Titre (EN) SELF-ALIGNED TRANSISTORS FOR DUAL-SIDE PROCESSING
(FR) TRANSISTORS AUTO-ALIGNÉS DESTINÉS À UN TRAITEMENT À DEUX CÔTÉS
Abrégé : front page image
(EN)An integrated circuit structure may include an alignment column on a front-side surface of an isolation layer. The alignment column may extend through a backside surface opposite the front-side surface of the isolation layer. The integrated circuit structure may also include front-side transistors on the front-side surface of the isolation layer. The integrated circuit structure may further include backside transistors on the backside surface of the isolation layer. A first front-side transistor is aligned with a first backside transistor according to the alignment column.
(FR)Selon la présente invention, une structure de circuit intégré peut comprendre une colonne d'alignement sur une surface côté avant d'une couche d'isolation. La colonne d'alignement peut s'étendre à travers une surface arrière opposée à la surface côté avant de la couche d'isolation. La structure de circuit intégré peut également comprendre des transistors côté avant sur la surface côté avant de la couche d'isolation. La structure de circuit intégré peut en outre comprendre des transistors côté arrière sur la surface côté arrière de la couche d'isolation. Un premier transistor côté avant est aligné sur un premier transistor côté arrière selon la colonne d'alignement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)