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1. (WO2018052600) STRUCTURES DE MICROBOSSES EN NICKEL-ÉTAIN ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CES DERNIÈRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/052600    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/046745
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 14.08.2017
CIB :
H01L 23/00 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : JAIN, Rahul; (US).
LEE, Kyu Oh; (US).
SCHUCKMAN, Amanda E.; (US).
CHO, Steve S.; (US)
Mandataire : BERNADICOU, Michael A.; (US).
AUYEUNG, Al; (US).
BLAIR, Steven R.; (US).
BLANK, Eric S.; (US).
BRASK, Justin K.; (US).
COFIELD, Michael A.; (US).
DANSKIN, Timothy A.; (US).
GARTHWAITE, Martin S.; (US).
HALEVA, Aaron S.; (US).
MAKI, Nathan R.; (US).
MARLINK, Jeffrey S.; (US).
MOORE, Michael S.; (US).
PARKER, Wesley E.; (US).
PUGH, Joseph A.; (US).
RASKIN, Vladimir; (US).
STRAUSS, Ryan N.; (US).
WANG, Yuke; (US).
YATES, Steven D.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/267,065 15.09.2016 US
Titre (EN) NICKEL-TIN MICROBUMP STRUCTURES AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) STRUCTURES DE MICROBOSSES EN NICKEL-ÉTAIN ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CES DERNIÈRES
Abrégé : front page image
(EN)Techniques and mechanisms for providing effective connectivity with surface level microbumps on an integrated circuit package substrate. In an embodiment, different metals are variously electroplated to form a microbump which extends through a surface-level dielectric of a substrate to a seed layer including copper. The microbump includes nickel and tin, wherein the nickel aids in mitigating an absorption of seed layer copper. In another embodiment, the microbump has a mass fraction of tin, or a mass fraction of nickel, that is different in various regions along a height of the microbump.
(FR)La présente invention concerne des techniques et des mécanismes pour créer une connectivité efficace avec des microbosses au niveau de la surface sur un substrat de boîtier de circuit intégré. Dans un mode de réalisation, différents métaux sont galvanisés de diverses manières pour former une microbosse qui s'étend à travers un diélectrique au niveau de la surface d'un substrat jusqu'à une couche de germe comprenant du cuivre. La microbosse comprend du nickel et de l'étain, le nickel aidant à atténuer une absorption du cuivre de la couche de germe. Dans un autre mode de réalisation, la microbosse a une fraction massique d'étain, ou une fraction massique de nickel, qui est différente dans diverses régions sur une hauteur de la microbosse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)