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1. (WO2018052579) REMPLISSAGE MÉTALLIQUE PARTIEL POUR EMPÊCHER UNE DÉLAMINATION DIÉLECTRIQUE À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE EXTRÊMEMENT FAIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/052579    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/045979
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 08.08.2017
CIB :
H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/528 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : WANG, Zhongze; (US).
CHEN, Guoqing; (US)
Mandataire : HALLMAN, Jonathan W.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/268,479 16.09.2016 US
Titre (EN) PARTIAL METAL FILL FOR PREVENTING EXTREME-LOW-K DIELECTRIC DELAMINATION
(FR) REMPLISSAGE MÉTALLIQUE PARTIEL POUR EMPÊCHER UNE DÉLAMINATION DIÉLECTRIQUE À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE EXTRÊMEMENT FAIBLE
Abrégé : front page image
(EN)A partial metal fill is provided within the footprint of an ultra-thick-metal (UTM) conductor on a dielectric layer to strengthen the dielectric layer to inhibit delamination of the UTM conductor without inducing significant electrical coupling between the UTM conductor and the partial metal fill.
(FR)Un remplissage métallique partiel est prévu à l'intérieur de l'empreinte d'un conducteur métallique ultra-épais (MUE) sur une couche diélectrique pour renforcer la couche diélectrique afin d'empêcher la délamination du conducteur MUE sans induire de couplage électrique significatif entre le conducteur MUE et le remplissage métallique partiel.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)