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1. (WO2018052564) CONTACT DESTINÉ À UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/052564    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/045567
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 04.08.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.01.2018    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/485 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : LIU, Yanxiang; (US).
YANG, Haining; (US).
SUH, Youseok; (US).
CHOI, Jihong; (US).
BAO, Junjing; (US)
Mandataire : LENKIN, Alan M.; (US).
LUTZ, Joseph; (US).
PARTOW-NAVID, Puya; (US).
FASHU-KANU, Alvin V.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/394,128 13.09.2016 US
15/352,342 15.11.2016 US
Titre (EN) CONTACT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CONTACT DESTINÉ À UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device may include a source/drain contact trench adjacent to a gate. The source/drain contact trench may include a first portion and a second portion on the first portion. The semiconductor device also may include an insulating contact spacer liner within the source/drain contact trench. The insulating contact spacer liner contacts the first portion but not the second portion of the source/drain contact trench. The semiconductor device may further include a conductive material within the insulating contact spacer liner and the second portion of the source/drain contact trench. The conductive material may land in a source/drain region of the semiconductor device.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur pouvant comprendre une tranchée de contact source/drain adjacente à une grille. La tranchée de contact source/drain peut comprendre une première partie et une seconde partie située sur la première partie. Le dispositif à semi-conducteur peut également comprendre une doublure d'espaceur de contact isolante à l'intérieur de la tranchée de contact source/drain. La doublure d'espaceur de contact isolante entre en contact avec la première partie mais pas avec la seconde partie de la tranchée de contact source/drain. Le dispositif à semi-conducteur peut en outre comprendre un matériau conducteur à l'intérieur de la doublure d'espaceur de contact isolante et de la seconde partie de la tranchée de contact source/drain. Le matériau conducteur peut arriver dans une région de source/drain du dispositif à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)