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1. (WO2018052478) PROCÉDÉ DE FORMATION DE GERMANIUM DOPÉ
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N° de publication : WO/2018/052478 N° de la demande internationale : PCT/US2017/015368
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 27.01.2017
CIB :
H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : HUANG, Yi-Chiau; US
CHUNG, Hua; US
KUNG, Sheng-Chin; US
LI, Xuebin; US
Mandataire : PATTERSON, Todd, B.; US
TACKETT, Keith M.; US
Données relatives à la priorité :
62/396,63519.09.2016US
Titre (EN) METHOD OF DOPED GERMANIUM FORMATION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE GERMANIUM DOPÉ
Abrégé : front page image
(EN) Implementations described herein generally relate to methods and systems for depositing layer on substrates, and more specifically, to methods for forming boron or gallium-doped germanium on silicon-containing surfaces. In one implementation, a method of processing a substrate is provided. The method comprises exposing a substrate having an exposed silicon-germanium surface and an exposed dielectric surface to a pre-treatment process, selectively depositing a boron-doped or a gallium-doped layer on the exposed silicon-germanium surface and exposing the substrate to a post-treatment process.
(FR) Selon des modes de réalisation, la présente invention concerne, de manière générale, des procédés et des systèmes de dépôt de couche sur des substrats et, plus particulièrement, des procédés de formation de germanium dopé au bore ou au gallium sur des surfaces contenant du silicium. Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un procédé de traitement d'un substrat. Le procédé consiste à exposer un substrat comportant une surface de silicium-germanium apparente et une surface diélectrique apparente à un processus de prétraitement, à déposer sélectivement une couche dopée au bore ou dopée au gallium sur la surface de silicium-germanium apparente et à exposer le substrat à un processus de post-traitement.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)