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1. (WO2018052472) PROCÉDÉ DE FORMATION DE CONTACT ENTRE UN MÉTAL ET UN SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2018/052472    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/014734
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 24.01.2017
CIB :
H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : HUANG, Yi-Chiau; (US).
CHUNG, Hua; (US).
LI, Xuebin; (US)
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; (US).
TACKETT, Keith M.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/394,399 14.09.2016 US
Titre (EN) METHOD OF CONTACT FORMATION BETWEEN METAL AND SEMICONDUCTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE CONTACT ENTRE UN MÉTAL ET UN SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Implementations of the present disclosure generally relate to improved semiconductor devices and methods of manufacture thereof. More specifically, implementations disclosed herein relate to a semiconductor device having an improved contact interface between the semiconductor material and metal material and methods of manufacture thereof. The method includes forming a semiconductor layer on a silicon substrate, forming an interfacial layer over the semiconductor layer, and forming a metal contact layer over the interfacial layer. The interfacial layer comprises one or more of germanium, boron, gallium, indium, thallium, arsenic, antimony, tin, silicon, and phosphorus, and has a thickness of between about 50 angstroms and about 100 angstroms. The interfacial layer improves the quality of the contact interface between the semiconductor material and metal material.
(FR)Des modes de réalisation de la présente invention concernent généralement des dispositifs à semi-conducteur améliorés et leurs procédés de fabrication. Plus spécifiquement, des modes de réalisation de la présente invention concernent un dispositif à semi-conducteur ayant une interface de contact améliorée entre le matériau semi-conducteur et le matériau métallique et des procédés de fabrication de celui-ci. Le procédé comprend la formation d'une couche semi-conductrice sur un substrat de silicium, la formation d'une couche interfaciale sur la couche semi-conductrice, et la formation d'une couche de contact métallique sur la couche interfaciale. La couche interfaciale comprend un ou plusieurs éléments parmi le germanium, le bore, le gallium, l'indium, le thallium, l'arsenic, l'antimoine, l'étain, le silicium et le phosphore, et a une épaisseur comprise entre environ 50 angströms et environ 100 angströms. La couche interfaciale améliore la qualité de l'interface de contact entre le matériau semi-conducteur et le matériau métallique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)