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1. (WO2018052471) CHAMBRE DE DÉGAZAGE POUR DES PROCÉDÉS ASSOCIÉS À L'ARSENIC
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N° de publication : WO/2018/052471 N° de la demande internationale : PCT/US2017/014609
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 23.01.2017
CIB :
H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : BAO, Xinyu; US
YAN, Chun; US
CHUNG, Hua; US
CHU, Schubert S.; US
Mandataire : PATTERSON, B. Todd; US
TACKETT, Keith M.; US
Données relatives à la priorité :
62/394,28214.09.2016US
Titre (EN) A DEGASSING CHAMBER FOR ARSENIC RELATED PROCESSES
(FR) CHAMBRE DE DÉGAZAGE POUR DES PROCÉDÉS ASSOCIÉS À L'ARSENIC
Abrégé : front page image
(EN) Implementations of the present disclosure generally relate to the fabrication of integrated circuits. More specifically, implementations disclosed herein relate to apparatus, systems, and methods for reducing substrate outgassing. A substrate is processed in an epitaxial deposition chamber for depositing an arsenic-containing material on a substrate and then transferred to a degassing chamber for reducing arsenic outgassing on the substrate. The degassing chamber includes a gas panel for supplying hydrogen, nitrogen, and oxygen and hydrogen chloride or chlorine gas to the chamber, a substrate support, a pump, and at least one heating mechanism. Residual or fugitive arsenic is removed from the substrate such that the substrate may be removed from the degassing chamber without dispersing arsenic into the ambient environment.
(FR) La présente invention se rapporte de manière générale, dans des modes de réalisation, à la fabrication de circuits intégrés. De façon plus précise, des modes de réalisation de la présente invention se rapportent à un appareil, à des systèmes et à des procédés permettant de réduire le dégazage de substrat. Un substrat est traité dans une chambre de dépôt épitaxial pour déposer un matériau contenant de l'arsenic sur un substrat et, ensuite, transféré jusqu'à une chambre de dégazage pour réduire le dégazage d'arsenic sur le substrat. La chambre de dégazage comprend un panneau de gaz destiné à fournir de l'hydrogène, de l'azote et de l'oxygène et du chlorure d'hydrogène ou du chlore gazeux à la chambre, un support de substrat, une pompe et au moins un mécanisme de chauffage. L'arsenic résiduel ou passager est retiré du substrat de telle sorte que le substrat puisse être retiré de la chambre de dégazage sans disperser l'arsenic dans l'environnement ambiant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)