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1. (WO2018052460) OPTIMISATION DE LIAISON AU CORPS DESTINÉE À UN AMPLIFICATEUR À TRANSISTORS EMPILÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/052460    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/057052
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 14.10.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.12.2017    
CIB :
H03F 3/195 (2006.01), H03F 3/21 (2006.01), H03F 1/52 (2006.01), H03F 1/22 (2006.01)
Déposants : PEREGRINE SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 9380 Carroll Park Drive San Diego, CA 92121 (US)
Inventeurs : WILLARD, Simon, Edward; (US).
OLSON, Chris; (US).
RANTA, Tero, Tapio; (US)
Mandataire : STEINFL, Alessandro; (US).
BRUNO, Enrica; (US).
CASH, Brian; (US).
PEREZ, Ronald; (US).
DONG, Lun-Cong; (US).
XU, Jiancong; (US).
PIZZOLI, Antonio; c/o Società Italiana Brevetti S.p.a Via Carducci 8 20123 Milano (IT)
Données relatives à la priorité :
15/268,257 16.09.2016 US
Titre (EN) BODY TIE OPTIMIZATION FOR STACKED TRANSISTOR AMPLIFIER
(FR) OPTIMISATION DE LIAISON AU CORPS DESTINÉE À UN AMPLIFICATEUR À TRANSISTORS EMPILÉS
Abrégé : front page image
(EN)A transistor stack can include a combination of floating and body tied devices. Improved performance of the RF amplifier can be obtained by using a single body tied device as the input transistor of the stack, or as the output transistor of the stack, while other transistors of the stack are floating transistors. Transient response of the RF amplifier can be improved by using all body tied devices in the stack.
(FR)L'invention porte sur un empilement de transistors qui peut comprendre une combinaison de dispositifs flottants et liés au corps. L'utilisation d'un seul dispositif lié au corps en guise de transistor d'entrée ou de sortie de l'empilement, les autres transistors de l'empilement étant des transistors flottants, peut permettre d'obtenir un rendement amélioré de l'amplificateur RF. L'utilisation de tous les dispositifs liés au corps de l'empilement peut permettre d'améliorer la réponse transitoire de l'amplificateur RF.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)