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1. (WO2018052236) APPAREIL DE DÉPÔT
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N° de publication : WO/2018/052236 N° de la demande internationale : PCT/KR2017/010016
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 13.09.2017
CIB :
C23C 14/56 (2006.01) ,C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/54 (2006.01) ,H01L 21/203 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
56
Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
24
Evaporation sous vide
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
54
Commande ou régulation du processus de revêtement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
203
en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
(주)알파플러스 ALPHA PLUS CO., LTD. [KR/KR]; 충청남도 아산시 둔포면 아산밸리동로 200 200, Asanvalleydong-ro, Dunpo-myeon Asan-si Chungcheongnam-do 31409, KR
Inventeurs :
문일권 MOON, Il Kwon; KR
황도원 HWANG, Do Weon; KR
Mandataire :
특허법인 명인 MI PATENT AND LAW FIRM; 서울시 강남구 테헤란로 4길 45, 5층 5F., 45 Teheran-ro 4-gil Gangnam-gu Seoul 06240, KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-011831713.09.2016KR
Titre (EN) DEPOSITION APPARATUS
(FR) APPAREIL DE DÉPÔT
(KO) 증착 장치
Abrégé :
(EN) The technical objective of the present invention is to provide a deposition apparatus capable of protecting a surface of a substrate from a contaminant attached to a deposition nozzle. To this end, a deposition apparatus of the present invention, which is a deposition apparatus for depositing one or more thin film-forming materials on a substrate, comprises: a first linear evaporation source having a first conductance tube in which a plurality of deposition nozzles for spraying a first thin film-forming material onto the substrate are arranged long in a first direction; a fixed shielding member comprising a passage region which is provided between the first conductance tube and the substrate to pass a portion of the sprayed first thin film-forming material onto the substrate, and a shielding region which blocks the remaining portion of the first thin film-forming material; and a first contamination preventing member, provided in the fixed shielding member, for preventing a contaminant attached to at least one deposition nozzle from among the plurality of deposition nozzles from moving to the substrate.
(FR) L'objet technique de la présente invention est de fournir un appareil de dépôt apte à protéger une surface d'un substrat d'un contaminant fixé à une buse de dépôt. À cette fin, un appareil de dépôt de la présente invention, qui est un appareil de dépôt permettant de déposer un ou plusieurs matériaux filmogènes de couches minces sur un substrat, comprend : une première source d'évaporation linéaire comportant un premier tube de conductance dans lequel plusieurs buses de dépôt, servant à pulvériser un premier matériau filmogène de couches minces sur le substrat, sont agencées le long d'une première direction ; un élément de protection fixe comprenant une région de passage qui est prévue entre le premier tube de conductance et le substrat pour faire passer une partie du premier matériau filmogène de couches minces pulvérisé sur le substrat, et une région de protection qui bloque la partie restante du premier matériau filmogène de couches minces ; et un premier élément de prévention de contamination, disposé dans l'élément de protection fixe, servant à empêcher un contaminant fixé à au moins une buse de dépôt parmi la pluralité de buses de dépôt de se déplacer vers le substrat.
(KO) 본 발명은 증착용 노즐에 달라붙은 오염 물질로부터 기판의 표면을 보호할 수 있는 증착 장치를 제공하는 것이 그 기술적 과제이다. 이를 위해, 본 발명의 증착 장치는, 기판에 하나 이상의 박막 형성용 물질을 증착시키기 위한 증착 장치로서, 상기 기판으로 제1 박막 형성용 물질을 분사시키기 위한 복수의 증착용 노즐이 제1 방향으로 길게 배열된 제1 전도관을 가지는 제1 선형 증발원; 상기 제1 전도관과 상기 기판 사이에 구비되며 상기 분사되는 제1 박막 형성용 물질의 일부를 상기 기판으로 통과시키는 통과 영역부와 상기 제1 박막 형성용 물질의 나머지를 차단시키는 가림 영역부를 포함하는 고정형 가림 부재; 및 상기 고정형 가림 부재에 구비되어 상기 복수의 증착용 노즐 중 적어도 하나의 증착용 노즐에 묻은 오염 물질이 상기 기판으로 이동되는 것을 막는 제1 오염 방지 부재를 포함한다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)