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1. (WO2018052074) DISPOSITIF DE MESURE D'ABSORBANCE ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT LE DISPOSITIF DE MESURE D'ABSORBANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/052074    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/033238
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 14.09.2017
CIB :
G01N 21/59 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), G01N 21/61 (2006.01)
Déposants : HORIBA STEC, CO., LTD. [JP/JP]; 11-5, Hokodate-cho, Kamitoba, Minami-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6018116 (JP)
Inventeurs : NISHIZATO, Hiroshi; (JP).
MINAMI, Masakazu; (JP).
SAKAGUCHI, Yuhei; (JP)
Mandataire : NISHIMURA, Ryuhei; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-180885 15.09.2016 JP
Titre (EN) ABSORBANCE METER AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE USING ABSORBANCE METER
(FR) DISPOSITIF DE MESURE D'ABSORBANCE ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS UTILISANT LE DISPOSITIF DE MESURE D'ABSORBANCE
(JA) 吸光度計及び該吸光度計を用いた半導体製造装置
Abrégé : front page image
(EN)Through the present invention, an absorbance meter is obtained whereby a light source part or a light receiving part can be protected from heat of a sample gas without increasing the distance from the light source part to the light receiving part when measuring a high-temperature sample gas, and high measurement precision can be ensured. The present invention is provided with a sample accommodation part 10 provided with an accommodation space 11 for accommodating a sample gas, a light source part 20 for radiating light into the accommodation space 11, a light receiving part 30 for receiving light emitted from within the accommodation space 11, a first insulation zone 40a disposed adjacent to a light source part 20 side of the sample accommodation part 10 and a second insulation zone 40b disposed adjacent to a light receiving part 30 side of the sample accommodation part 10, and a first cooling part 50a disposed adjacent to the first insulation zone 40a and a second cooling part 50b disposed adjacent to the second insulation zone 40b.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif de mesure d'absorbance grâce auquel une partie source de lumière ou une partie de réception de lumière peut être protégée de la chaleur d'un échantillon de gaz sans augmenter la distance entre la partie source de lumière et la partie de réception de lumière lors de la mesure d'un échantillon de gaz à haute température, ce dispositif permettant d'obtenir une grande précision de mesure. La présente invention est pourvue d'une partie d'accueil d'échantillon 10 comportant un espace d'accueil 11 pour l'accueil d'un échantillon de gaz, une partie source de lumière 20 pour l'émission de lumière dans l'espace d'accueil 11, une partie de réception de lumière 30 pour la réception de la lumière émise depuis l'intérieur de l'espace d'accueil 11, une première zone d'isolation 40a disposée de manière adjacente au côté correspondant à la partie source de lumière 20 de la partie d'accueil d'échantillon 10 et une seconde zone d'isolation 40b disposée de manière adjacente au côté correspondant à la partie de réception de lumière 30 de la partie d'accueil d'échantillon 10, et une première partie de refroidissement 50a disposée de manière adjacente à la première zone d'isolation 40a et une seconde partie de refroidissement 50b disposée de manière adjacente à la seconde zone d'isolation 40b.
(JA)高温のサンプルガスを測定する場合に、光源部から受光部までの距離を長くしなくても、光源部や受光部をサンプルガスの熱から保護でき、測定精度を高く保持できる吸光度計を得る。サンプルガスを収容する収容空間11を備えるサンプル収容部10と、収容空間11内に光を照射する光源部20と、収容空間11内から出射した光を受光する受光部30と、サンプル収容部10の光源部20側に隣接して設置される第1の断熱部40a及びサンプル収容部10の受光部30側に隣接して設置される第2の断熱部40bと、第1の断熱部40aに隣接して設置される第1の冷却部50a及び第2の断熱部40bに隣接して設置される第2の冷却部50bとを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)