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1. (WO2018051974) ÉLÉMENT POUR DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication :    WO/2018/051974    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/032851
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 12.09.2017
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), C23C 24/04 (2006.01)
Déposants : TOTO LTD. [JP/JP]; 1-1, Nakashima 2-chome, Kokurakita-ku, Kitakyushu-shi, Fukuoka 8028601 (JP)
Inventeurs : NITTA, Yasutaka; (JP)
Mandataire : HYUGAJI, Masahiko; (JP).
KOZAKI, Junichi; (JP).
ICHIKAWA, Hiroshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-178671 13.09.2016 JP
2017-173746 11.09.2017 JP
Titre (EN) MEMBER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT POUR DISPOSITIF DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体製造装置用部材
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a member for a semiconductor manufacturing device characterized by being provided with an alumite substrate that includes a recess, and a first layer that is formed on the alumite substrate and that contains an yttrium compound, the first layer having a first region and a second region that is provided in the recess and positioned between the first region and the alumite substrate, and the average particle diameter in the first region being less than that in the second region.
(FR)L'invention concerne un élément pour un dispositif de fabrication de semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il est pourvu d'un substrat d'alumite qui comprend un évidement, et d'une première couche qui est formée sur le substrat d'alumite et qui contient un composé d'yttrium, la première couche ayant une première région et une seconde région qui est disposée dans l'évidement et positionnée entre la première région et le substrat d'alumite, le diamètre moyen des particules dans la première région étant inférieur à celui dans la seconde région.
(JA)凹部を含むアルマイト基材と、前記アルマイト基材上に形成されイットリウム化合物を含む第1層と、を備え、前記第1層は、第1領域と、前記凹部内に設けられ、前記第1領域と前記アルマイト基材との間に位置する第2領域と、を有し、前記第1領域における平均粒子径は、前記第2領域における平均粒子径よりも短いことを特徴とする半導体製造装置用部材が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)