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1. (WO2018051532) SUBSTRAT DESTINÉ À UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2018/051532 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/007113
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 24.02.2017
CIB :
H01L 21/338 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 29/812 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
338
à grille Schottky
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
778
avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
80
l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse
812
à grille Schottky
Déposants :
サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 埼玉県新座市北野3丁目6番3号 3-6-3 Kitano, Niiza-shi, Saitama 3528666, JP
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Inventeurs :
佐藤 憲 SATO Ken; JP
鹿内 洋志 SHIKAUCHI Hiroshi; JP
篠宮 勝 SHINOMIYA Masaru; JP
土屋 慶太郎 TSUCHIYA Keitaro; JP
萩本 和徳 HAGIMOTO Kazunori; JP
Mandataire :
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-18085715.09.2016JP
Titre (EN) SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT DESTINÉ À UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体デバイス用基板、半導体デバイス、及び、半導体デバイス用基板の製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention is a substrate for a semiconductor device having a substrate, a buffer layer which is provided on the substrate and which comprises a nitride semiconductor, and a device active layer comprising a nitride semiconductor layer provided on the buffer layer, wherein the substrate for a semiconductor device is characterized in that: the buffer layer has a first region containing carbon and iron, and a second region which is located on the first region and which has a lower average concentration of iron than does the first region and a higher average concentration of carbon than does the first region; and the average concentration of carbon in the second region is lower than the average concentration of iron in the first region. Thereby provided is a substrate for a semiconductor device with which it is possible to suppress a lateral leak current during high-temperature operation of the device while suppressing a longitudinal leak current, and to suppress a current collapse phenomenon.
(FR) La présente invention concerne un substrat destiné à un dispositif à semi-conducteur ayant un substrat, une couche tampon qui est disposée sur le substrat et qui comprend un semi-conducteur au nitrure, et une couche active de dispositif comprenant une couche semi-conductrice de nitrure disposée sur la couche tampon, le substrat destiné à un dispositif à semi-conducteur étant caractérisé en ce que : la couche tampon présente une première région contenant du carbone et du fer, et une seconde région qui est située sur la première région et qui présente une concentration moyenne en fer inférieure à celle de la première région et une concentration moyenne en carbone supérieure à celle de la première région ; et la concentration moyenne en carbone dans la seconde région est inférieure à la concentration moyenne en fer dans la première région. Ainsi, l'invention concerne un substrat destiné à un dispositif à semi-conducteur avec lequel il est possible de supprimer un courant de fuite latéral pendant un fonctionnement du dispositif à haute température tout en supprimant un courant de fuite longitudinal, et de supprimer un phénomène de chute de courant.
(JA) 本発明は、基板と、該基板上に設けられ、窒化物半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に設けられた窒化物半導体層からなるデバイス能動層とを有する半導体デバイス用基板であって、前記バッファ層は炭素と鉄を含む第1の領域と、前記第1の領域上にあって、前記第1の領域よりも鉄の平均濃度が低く、前記第1の領域よりも炭素の平均濃度が高い第2の領域とを有し、前記第2の領域の炭素の平均濃度は前記第1の領域の鉄の平均濃度より低いことを特徴とする半導体デバイス用基板である。これにより、縦方向リーク電流を抑制しつつデバイスの高温動作時の横方向リーク電流を抑制できるとともに、電流コラプス現象を抑制することができる半導体デバイス用基板が提供される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)