WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2018051512) MOSFET ET CIRCUIT DE CONVERSION DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/051512    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/077568
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 16.09.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : ARAI, Daisuke; (JP).
HISADA, Shigeru; (JP).
KITADA, Mizue; (JP).
ASADA, Takeshi; (JP)
Mandataire : MATSUO, Nobutaka; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MOSFET AND POWER CONVERSION CIRCUIT
(FR) MOSFET ET CIRCUIT DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) MOSFET及び電力変換回路
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a MOSFET used in a power conversion circuit provided with a reactor, a power supply, a MOSFET 100, and a rectification element. The MOSFET 100 comprises a semiconductor base member 110 including an n-type column area 114 and a p-type column area 116, the n-type column area 114 and the p-type column area 116 configuring a super junction structure. The n-type column area 114 and the p-type column area 116 are formed such that the p-type column area 116 has an impurity total amount greater than an impurity total amount of the n-type column area 114. When turned on, the MOSFET operates such that at the center of the n-type column area 114 as viewed in plan, a low electric field area appears in which the electric field intensity is lower than in the areas other than the center of the n-type column area 114. With the MOSFET of the present invention, it becomes possible to make oscillations less likely to occur in the MOSFET when the MOSFET is turned on, and to reduce a surge voltage across the rectification element.
(FR)La présente invention concerne un MOSFET utilisé dans un circuit de conversion de puissance comprenant un réacteur, une alimentation électrique, un MOSFET 100 et un élément de redressement. Le MOSFET 100 comprend un élément de base semi-conducteur 110 comprenant une zone de colonne de type n 114 et une zone de colonne de type p 116, la zone de colonne de type n 114 et la zone de colonne de type p 116 formant une structure de super-jonction. La zone de colonne de type n 114 et la zone de colonne de type p 116 sont formées de telle sorte que la zone de colonne de type p 116 a une quantité totale d'impuretés supérieure à une quantité totale d'impuretés de la zone de colonne de type n 114. Lorsqu'il est allumé, le MOSFET fonctionne de telle sorte qu'au centre de la zone de colonne de type n 114, vue en plan, une zone de champ électrique faible apparaît dans laquelle l'intensité de champ électrique est inférieure à celle dans les zones autres que le centre de la zone de colonne de type n 114. Avec le MOSFET de la présente invention, il devient possible de rendre des oscillations moins susceptibles de se produire dans le MOSFET lorsque le MOSFET est allumé, et de réduire une surtension à travers l'élément de redressement.
(JA)本発明のMOSFET100は、リアクトルと、電源と、MOSFET100と、整流素子とを備える電力変換回路に用いるMOSFETであって、n型コラム領域114及びp型コラム領域116を有し、n型コラム領域114及びp型コラム領域116でスーパージャンクション構造が構成されている半導体基体110を備え、n型コラム領域114及びp型コラム領域116は、p型コラム領域116の不純物総量がn型コラム領域114の不純物総量よりも高くなるように形成され、MOSFETをターンオンしたとき、平面的に見てn型コラム領域114の中央に、n型コラム領域114の中央以外の領域よりも電界強度が低い低電界領域が出現するように動作する。 本発明のMOSFETによれば、MOSFETをターンオンしたときに、MOSFETに発振を生じ難くすることができ、かつ、整流素子のサージ電圧を低減することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)