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1. (WO2018051357) CELLULE DE MÉMOIRE À REDONDANCE DOUBLE MODULAIRE COMPLÉMENTAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/051357 N° de la demande internationale : PCT/IL2017/051059
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 19.09.2017
CIB :
G11C 11/403 (2006.01) ,G11C 11/405 (2006.01) ,G11C 5/02 (2006.01) ,G11C 11/4097 (2006.01)
Déposants : BAR-ILAN UNIVERSITY[IL/IL]; 5290002 Ramat-Gan, IL
Inventeurs : GITERMAN, Robert; IL
ATIAS, Lior; IL
TEMAN, Adam; IL
FISH, Alexander; IL
Mandataire : EHRLICH, Gal; IL
WATERMAN, Hadassa; IL
MELNICK, Geoffrey, L.; IL
Données relatives à la priorité :
62/396,25619.09.2016US
Titre (EN) COMPLEMENTARY DUAL-MODULAR REDUNDANCY MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE À REDONDANCE DOUBLE MODULAIRE COMPLÉMENTAIRE
Abrégé : front page image
(EN) A CDMR memory cell, includes a first bitcell which is used to store a current data level and a second bitcell which is used to store the complementary data level. When a read operation is performed, a comparator compares the data levels read from the two bitcells. If these two levels are not complementary, the comparator outputs an indicator. This indicator serves as an alert that a storage error has, or may have, occurred.
(FR) L'invention concerne une cellule de mémoire CDMR comprenant une première cellule binaire qui est utilisée pour stocker un niveau de données actuel et une seconde cellule binaire qui est utilisée pour stocker le niveau de données complémentaire. Lorsqu'une opération de lecture est effectuée, un comparateur compare les niveaux de données lus à partir des deux cellules binaires. Si ces deux niveaux ne sont pas complémentaires, le comparateur délivre en sortie un indicateur. Cet indicateur sert d'alerte lorsqu'une erreur de stockage a, ou peut avoir, eu lieu.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)