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1. (WO2018051208) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
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N° de publication :    WO/2018/051208    N° de la demande internationale :    PCT/IB2017/055314
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 05.09.2017
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8239 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 27/115 (2017.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : YAMANE, Yasumasa; (JP).
TOKUMARU, Ryo; (JP).
SAWAI, Hiromi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-179466 14.09.2016 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device having stable electrical characteristics is provided. A semiconductor device that can be miniaturized or highly integrated is provided. One embodiment of the present invention includes a transistor including an oxide, a first barrier layer over the transistor, and a second barrier layer in contact with the first barrier layer. The oxide is in contact with an insulator including an excess-oxygen region. The insulator is in contact with the first barrier layer. The first barrier layer has a thickness greater than or equal to 0.5 nm and less than or equal to 1.5 nm. The second barrier layer is thicker than the first barrier layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteurs ayant des caractéristiques électriques stables L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui peut être miniaturisé ou hautement intégré. Un mode de réalisation de la présente invention comprend un transistor comprenant un oxyde, une première couche barrière sur le transistor, et une seconde couche barrière en contact avec la première couche barrière. L'oxyde est en contact avec un isolant comprenant une région d'excès d'oxygène. L'isolant est en contact avec la première couche barrière. La première couche barrière a une épaisseur supérieure ou égale à 0,5 nm et inférieure ou égale à 1,5 nm. La seconde couche barrière est plus épaisse que la première couche barrière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)