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1. (WO2018050629) PROCÉDÉ POUR ÉTABLIR DES CONTACTS ÉLECTRIQUES SUR UN COMPOSANT
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N° de publication : WO/2018/050629 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/072874
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 12.09.2017
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072
les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
0745
comprenant uniquement une hétérojonction AIVBIV, p.ex. cellules solaires Si/Ge, SiGe/Si ou Si/SiC
0747
comprenant une hétérojonction avec des matériaux cristallins et amorphes, p.ex. cellules solaires avec une couche mince intrinsèque ou HIT
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.[DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 Munich, DE
Inventeurs : GLATTHAAR, Markus; DE
BARTSCH, Jonas; DE
KAMP, Mathias; DE
ROHIT, Rukmangada; DE
Mandataire : MAIWALD PATENTANWALTS- UND RECHTSANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Christian Haggenmüller Elisenhof / Elisenstr. 3 80335 München, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 217 789.316.09.2016DE
10 2017 203 038.024.02.2017DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING ELECTRICAL CONTACTS ON A COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ POUR ÉTABLIR DES CONTACTS ÉLECTRIQUES SUR UN COMPOSANT
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ELEKTRISCHER KONTAKTE AUF EINEM BAUTEIL
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a method for producing one or more electrical contacts on a component, comprising the following steps: - providing a component which has a front and a rear, an outer layer of a transparent, electrically conductive oxide (TCO) or a self-passivating metal or semiconductor being present on the front and/or rear; - applying a structured, electrically conductive seed layer, the application of the seed layer taking place non-galvanically; - galvanically depositing at least one metal on the seed layer.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour établir un ou plusieurs contacts électriques sur un composant, ce procédé comprenant les étapes consistant à : prendre un composant présentant une face avant et une face arrière, une couche extérieure constituée d'un oxyde transparent électriquement conducteur (TCO) ou d'un semi-conducteur ou d'un métal passif étant présente sur la face avant et/ou sur la face arrière, appliquer une couche germe structurée électriquement conductrice, l'application de la couche germe n'étant pas effectuée par électrolyse, dépôt électrolytique d'au moins un métal sur la couche germe.
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer oder mehrerer elektrischer Kontakte auf einem Bauteil, folgende Schritte umfassend: -Bereitstellung eines Bauteils, das eine Vorder-und eine Rückseite aufweist, wobei auf der Vorderseite und/oder der Rückseiteeine Außenschicht aus einem transparenten, elektrisch leitfähigen Oxid (TCO) oder einem selbstpassivierenden Metall oder Halbleiter vorliegt, -Aufbringen einer strukturierten, elektrisch leitfähigen Keimschicht, wobei das Aufbringen der Keimschicht nicht galvanisch erfolgt, -galvanische Abscheidung zumindest eines Metalls auf der Keimschicht.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)