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1. (WO2018050032) HAUT-PARLEUR À DIAPHRAGME VIBRANT PLAN
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N° de publication :    WO/2018/050032    N° de la demande internationale :    PCT/CN2017/101114
Date de publication : 22.03.2018 Date de dépôt international : 08.09.2017
CIB :
H04R 9/06 (2006.01)
Déposants : 1MORE INC. [CN/CN]; F14 East Block Tianliao Building (New Materials Industrial Park), Xueyuan Road, Nanshan District Shenzhen, Guangdong 518055 (CN)
Inventeurs : CHIU, Shihchia; (CN).
YOU, Bocheng; (CN).
SUN, Wei; (CN)
Mandataire : ADVANCE CHINA IP LAW OFFICE; Room 3901, No. 85 Huacheng Avenue, Tianhe District Guangzhou, Guangdong 510623 (CN)
Données relatives à la priorité :
201621062792.6 19.09.2016 CN
Titre (EN) SPEAKER WITH PLANAR VIBRATING DIAPHRAGM
(FR) HAUT-PARLEUR À DIAPHRAGME VIBRANT PLAN
(ZH) 平面振膜喇叭
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a speaker with a planar vibrating diaphragm (200). The speaker comprises a housing (100), the vibrating diaphragm (200), a coil layer (300) and a magnetic system (400), wherein the vibrating diaphragm (200) is arranged on the housing (100); the coil layer (300) is arranged on the vibrating diaphragm (200); the coil layer (300) comprises mutually parallel straight line segments (310) and connecting segments (320) connected between the straight line segments (310); the magnetic system (400) comprises first magnets (410) and second magnets (420), alternately arranged at intervals, and first reinforcing magnets (430) arranged between the first magnets (410) and the second magnets (420), the magnets being adjacent to each other; poles, arranged at the same side of the vibrating diaphragm (200) and close to one end of the vibrating diaphragm (200), of the first magnets (410) and the second magnets (420) are opposite; and the direction of a magnetic field formed, at one side close to the vibrating diaphragm (200), by the first reinforcing magnets (430) is the same as that of a magnetic field formed, at one side close to the vibrating diaphragm (200), by the first magnets (410) and the second magnets (420), the magnets being adjacent to each other.
(FR)L'invention concerne un haut-parleur avec un diaphragme vibrant plan (200). Le haut-parleur comprend un boîtier (100), le diaphragme vibrant (200), une couche de bobine (300) et un système magnétique (400), le diaphragme vibrant (200) étant disposé sur le boîtier (100) ; la couche de bobine (300) étant disposée sur le diaphragme vibrant (200) ; la couche de bobine (300) comprenant des segments de ligne droite mutuellement parallèles (310) et des segments de liaison (320) connectés entre les segments de ligne droite (310) ; le système magnétique (400) comprenant des premiers aimants (410) et des seconds aimants (420), agencés en alternance à des intervalles, et des premiers aimants de renforcement (430) agencés entre les premiers aimants (410) et les seconds aimants (420), les aimants étant adjacents les uns aux autres ; des pôles, agencés sur le même côté du diaphragme vibrant (200) et à proximité d'une extrémité du diaphragme vibrant (200), des premiers aimants (410) et des seconds aimants (420) étant opposés ; et la direction d'un champ magnétique formé, sur un côté proche du diaphragme vibrant (200), par les premiers aimants de renforcement (430) étant identique à celle d'un champ magnétique formé, sur un côté proche du diaphragme vibrant (200), par les premiers aimants (410) et les seconds aimants (420), les aimants étant adjacents les uns aux autres.
(ZH)一种平面振膜(200)喇叭包括壳体(100)、振膜(200)、线圈层(300)和磁系统(400)。振膜(200)设置在壳体(100)上。线圈层(300)设置在振膜(200)上,线圈层(300)包括相互平行的直线段(310)、及连接在直线段(310)之间的连接段(320);磁系统(400)包括交错间隔设置的第一磁铁(410)和第二磁铁(420)、及位于相邻第一磁铁(410)和第二磁铁(420)之间的第一加强磁铁(430);第一磁铁(410)和第二磁铁(420)位于振膜(200)的同侧、且靠近振膜(200)的一端的磁极相反,第一加强磁铁(430)靠近振膜(200)一侧所形成的磁场方向与相邻第一磁铁(410)和第二磁铁(420)靠近振膜(200)一侧所形成的磁场方向相同。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)