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1. (WO2018049022) SYSTÈME DE CONTACT ARRIÈRE À FILM MINCE MULTICOUCHE DESTINÉ À DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES SOUPLES SUR SUBSTRATS POLYMÈRES
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N° de publication :    WO/2018/049022    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/050466
Date de publication : 15.03.2018 Date de dépôt international : 07.09.2017
CIB :
H01L 31/0216 (2014.01), H01L 31/032 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0392 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), C22C 21/00 (2006.01), C22C 9/00 (2006.01), C22C 19/00 (2006.01)
Déposants : ASCENT SOLAR TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 12300 Grant Street Thornton, Colorado 80241-3120 (US)
Inventeurs : WOODS, Lawrence M.; (US).
TREGLIO, Richard Thomas; (US).
ARMSTRONG, Joseph H.; (US)
Mandataire : DIZEREGA, Philip; (US).
ANIS, Hissan; (US).
BARONE, Stephen B.; (US).
BARTON, Steven K.; (US).
CHEN, Xiaoyue (Peter); (US).
COUGHLIN, Sean M.; (US).
CURTIS, Michael J.; (US).
DECONTI, Giulio A.; (US).
LINK, Douglas; (US).
CHAPMAN, Gary B.; (US).
JEFFRIES, James H.; (US).
JOHNSON, Joseph; (US).
LAMBRECHTS, Robert J.; (US).
POPLIN, Alan J.; (US).
SULLIVAN, Sally A.; (US).
TRINQUE, Brian C.; (US).
VELEMA, James H.; (US).
VOCK, Curtis A.; (US).
WILKINS, Andrew T.; (US).
WASHINGTON, Michele N.; (US).
VICKERY, Neal S.; (US).
STONE-HULSLANDER, Judith; (US).
ALTER, Scott M.; (US).
DELANEY, Marie J.; (US).
SMITH, Mary B.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/258,169 07.09.2016 US
Titre (EN) MULTILAYER THIN-FILM BACK CONTACT SYSTEM FOR FLEXIBLE PHOTOVOLTAIC DEVICES ON POLYMER SUBSTRATES
(FR) SYSTÈME DE CONTACT ARRIÈRE À FILM MINCE MULTICOUCHE DESTINÉ À DES DISPOSITIFS PHOTOVOLTAÏQUES SOUPLES SUR SUBSTRATS POLYMÈRES
Abrégé : front page image
(EN)A photovoltaic element includes a polymer substrate having opposing device and back sides, and having a coefficient of thermal expansion of at least 4 parts per million per degree Celsius but not exceeding 12 parts per million per degree Celsius. A metal structure is disposed on the device side of the polymer substrate, and the metal structure includes (a) a transition-metal-based layer disposed on the polymer substrate, (b) an aluminum-based barrier layer disposed on the transition-metal-based layer, and (c) a molybdenum-based cap layer disposed on the aluminum-based barrier layer. A CIGS photovoltaic structure is disposed on the molybdenum-based cap layer.
(FR)Selon l'invention, un élément photovoltaïque comprend un substrat polymère comportant un dispositif opposé et des côtés arrière, et présentant un coefficient de dilatation thermique d'au moins 4 parties par million par degré Celsius mais ne dépassant pas 12 parties par million par degré Celsius. Une structure métallique est placée sur le côté dispositif du substrat polymère et comprend : une couche à base de métal de transition disposée sur le substrat polymère (a) ; une couche barrière à base d'aluminium disposée sur la couche à base de métal de transition (b) ; et une couche de recouvrement à base de molybdène disposée sur la couche barrière à base d'aluminium (c). Une structure photovoltaïque de type CIGS est disposée sur la couche de recouvrement à base de molybdène.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)