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1. (WO2018048972) JFET VERTICAL À TRANCHÉE AVEC COMMANDE DE TENSION DE SEUIL AMÉLIORÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/048972 N° de la demande internationale : PCT/US2017/050384
Date de publication : 15.03.2018 Date de dépôt international : 07.09.2017
CIB :
H01L 29/808 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/10 (2006.01) ,H01L 29/20 (2006.01) ,H01L 29/16 (2006.01) ,H01L 29/08 (2006.01)
Déposants : UNITED SILICON CARBIDE INC.[US/US]; 7 Deer Park Drive Suite E Monmouth Junction, NJ 08852, US
Inventeurs : BHALLA, Anup; US
ALEXANDROV, Peter; US
Mandataire : ROSEDALE, Jeffrey, H.; US
ROSEDALE, Jeffrey, H.; US
Données relatives à la priorité :
15/260,54809.09.2016US
Titre (EN) TRENCH VERTICAL JFET WITH IMPROVED THRESHOLD VOLTAGE CONTROL
(FR) JFET VERTICAL À TRANCHÉE AVEC COMMANDE DE TENSION DE SEUIL AMÉLIORÉE
Abrégé : front page image
(EN) Trench JFETs may be created by etching trenches into the topside of a substrate of a first doping type to form mesas. The substrate is made up of a backside drain layer, a middle drift layer, and topside source layer. The etching goes through the source layer and partly into the drift layer. Gate regions are formed on the sides and bottoms of the trenches using doping of a second type. Vertical channel regions are formed behind the vertical gate segments via angled implantation using a doping of the first kind, providing improved threshold voltage control. Optionally the substrate may include a lightly doped channel layer between the drift and source layers, such that the mesas include a lightly doped channel region that more strongly contrasts with the implanted vertical channel regions.
(FR) Des JFET à tranchée peuvent être créés par la gravure de tranchées dans la face supérieure d'un substrat d'un premier type de dopant pour former des mesas. Le substrat est constitué d'une couche de drain arrière, d'une couche de dérive centrale et d'une couche de source supérieure. La gravure traverse la couche de source et passe partiellement dans la couche de dérive. Des régions de grille sont formées sur les côtés et les fonds des tranchées à l'aide d'un dopant de second type. Des régions de canal vertical sont formées derrière les segments de grille verticale par l'intermédiaire d'une implantation oblique à l'aide d'un dopant du premier type, permettant une commande de tension seuil améliorée. Éventuellement, le substrat peut comprendre une couche de canal légèrement dopée entre la couche de dérive et la couche de source, de telle sorte que les mesas comprennent une région de canal légèrement dopée qui contraste plus fortement avec les régions de canal vertical implantées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)