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1. (WO2018048925) PROCÉDÉ DE GRAVURE DE COUCHE QUASI ATOMIQUE

Pub. No.:    WO/2018/048925    International Application No.:    PCT/US2017/050310
Publication Date: Fri Mar 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Sep 07 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/3065
H01L 21/02
H01L 21/3213
G03F 7/20
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.
Inventors: COTTLE, Hongyun
METZ, Andrew W.
Title: PROCÉDÉ DE GRAVURE DE COUCHE QUASI ATOMIQUE
Abstract:
Les Techniques de l'invention comprennent un procédé de gravure qui grave une couche de matériau de manière incrémentielle, similaire à la gravure monocouche de gravure de couche atomique (ALE), mais pas nécessairement comprenant une action mono-couche auto-limitative de ALE. De telles techniques peuvent être considérées comme une gravure de couche quasi atomique (Q-ALE) Les Techniques de l'invention sont avantageuses pour des applications de gravure de précision telles que pendant l'ouverture d'un masque souple. Les Techniques de l'invention permettent un transfert précis d'un motif de masque donné dans une couche sous-jacente. En contrôlant soigneusement le dépôt de polymère par rapport à la gravure assistée par polymère à travers son cycle temporel, une couche très fine de polymère conforme peut être activée et utilisée pour graver et transférer avec précision les motifs souhaités.