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1. (WO2018048914) POLARISATION D'UNE ARCHITECTURE DE GÉNÉRATION DE COURANT DESTINÉE À UN DISPOSITIF MÉDICAL IMPLANTABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/048914    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/050296
Date de publication : 15.03.2018 Date de dépôt international : 06.09.2017
CIB :
A61N 1/02 (2006.01), A61N 1/36 (2006.01), G06F 3/05 (2006.01)
Déposants : BOSTON SCIENTIFIC NEUROMODULATIONCORPORATION [US/US]; 25155 Rye Canyon Loop Valencia, CA 91355 (US)
Inventeurs : MARNFELDT, Goran, N.; (US).
WEISS, Philip, L.; (US).
WEERAKOON, Pujitha; (US).
WAGENBACH, David, M.; (US).
FELDMAN, Emanuel; (US).
GURURAJ, Kiran, K.; (US)
Mandataire : LEWIS, Terril; (US)
Données relatives à la priorité :
15/695,984 05.09.2017 US
62/393,005 10.09.2016 US
Titre (EN) BIASING OF A CURRENT GENERATION ARCHITECTURE FOR AN IMPLANTABLE MEDICAL DEVICE
(FR) POLARISATION D'UNE ARCHITECTURE DE GÉNÉRATION DE COURANT DESTINÉE À UN DISPOSITIF MÉDICAL IMPLANTABLE
Abrégé : front page image
(EN)Digital-to-analog converter (DAC) circuitry for providing currents at electrodes of an Implantable Pulse Generator (IPG) is disclosed. The DAC circuitry includes at least one PDAC for sourcing current to the electrodes, and at least one NDAC for sinking current from the electrodes. The PDACs are powered with power supplies VH (the compliance voltage) and Vssh in a high power domain, and the NDACs are powered with power supplies Vcc and ground in a low power domain. VH may change during IPG operation, and Vssh preferably also changes with a fixed difference with respect to VH. Digital control signals to the PDACs are formed (and possibly converted into) the high power domain, and transistors used to build the PDACs are biased in the high power domain, and thus may also change with VH. This permits transistors in the PDACs and NDACs to be made from normal low-voltage logic transistors.
(FR)L'invention concerne des circuits de convertisseur numérique-analogique (DAC) pour fournir des courants au niveau d'électrodes d'un générateur d'impulsions implantable (IPG). Le circuit DAC comprend au moins un PDAC pour fournir un courant aux électrodes, et au moins un NDAC pour absorber un courant à partir des électrodes. Les PDAC sont alimentés avec des alimentations électriques VH (la tension de conformité) et Vssh dans un domaine de puissance élevée, et les NDAC sont alimentés avec des alimentations électriques Vcc et mis à la terre dans un domaine de faible puissance. VH peut changer pendant le fonctionnement de l'IPG, et la Vssh varie de préférence également avec une différence fixe par rapport à VH. Des signaux de commande numérique aux PDAC sont formés (et éventuellement convertis) dans le domaine de puissance élevée, et des transistors utilisés de manière à construire les PDAC sont polarisés dans le domaine de puissance élevée, et peuvent ainsi également varier avec VH. Cela permet de fabriquer des transistors dans les PDAC et les NDAC à partir de transistors logiques à basse tension normaux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)