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1. (WO2018048889) SURVEILLANCE ET COMMANDE DE COURANT DE FAISCEAU IONIQUE IN SITU DANS DES SYSTÈMES D'IMPLANTATION D'IONS BALAYÉS
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N° de publication :    WO/2018/048889    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/050261
Date de publication : 15.03.2018 Date de dépôt international : 06.09.2017
CIB :
H01J 37/317 (2006.01)
Déposants : AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; ATTN: DENIS A. ROBITAILLE 108 Cherry Hill Drive Beverly, Massachusetts 01915 (US)
Inventeurs : HALLING, Alfred; (US)
Données relatives à la priorité :
15/258,723 07.09.2016 US
Titre (EN) IN SITU ION BEAM CURRENT MONITORING AND CONTROL IN SCANNED ION IMPLANTATION SYSTEMS
(FR) SURVEILLANCE ET COMMANDE DE COURANT DE FAISCEAU IONIQUE IN SITU DANS DES SYSTÈMES D'IMPLANTATION D'IONS BALAYÉS
Abrégé : front page image
(EN)A system and method for controlling an ion implantation system as a function of sampling ion beam current and uniformity thereof. The ion implantation system includes optical elements configured to selectively steer and/or shape the ion beam as it is transported, wherein the ion beam is sampled at a high frequency to provide ion beam current samples, which are then analyzed to detect fluctuations, nonuniformities or unpredicted variations amongst ion beam current samples. These beam current samples are compared against predetermined threshold levels, and/or predicted nonuniformity levels to generate a control signal when a detected nonuniformity in the plurality of ion beam current density samples exceeds a predetermined threshold. A control system generates a control signal for interlocking the beam transport or for varying an input to at least one optical element to control variations in beam current.
(FR)L'invention concerne un système et un procédé de commande d'un système d'implantation ionique en fonction du courant de faisceau ionique d'échantillonnage et de l'uniformité de ce dernier. Le système d'implantation ionique comprend des éléments optiques configurés de manière à diriger et/ou mettre en forme sélectivement le faisceau ionique lorsqu'il est transporté, le faisceau ionique étant échantillonné à une fréquence élevée de manière à fournir des échantillons de courant de faisceau ionique, qui sont ensuite analysés de manière à détecter des fluctuations, des non-uniformités ou des variations non prédites parmi des échantillons de courant de faisceau ionique. Ces échantillons de courant de faisceau sont comparés à des niveaux de seuil prédéterminés, et/ou à des niveaux de non-uniformité prédits de manière à générer un signal de commande lorsqu'une non-uniformité détectée dans la pluralité d'échantillons de densité de courant de faisceau ionique dépasse un seuil prédéterminé. Un système de commande génère un signal de commande pour verrouiller le transport de faisceau ou pour faire varier une entrée à au moins un élément optique de manière à commander des variations du courant de faisceau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)