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1. (WO2018048712) CIRCUITS D'ADAPTATION D'IMPÉDANCE MICRO-ÉLECTROMÉCANIQUE À AJUSTEMENT AUTOMATIQUE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/048712    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/049615
Date de publication : 15.03.2018 Date de dépôt international : 31.08.2017
CIB :
H02J 5/00 (2016.01)
Déposants : DUEWEKE, Michael, J. [US/US]; (US)
Inventeurs : DUEWEKE, Michael, J.; (US)
Mandataire : FORTNEY, Andrew, D.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/384,657 07.09.2016 US
Titre (EN) SELF-TUNING MICROELECTROMECHANICAL IMPEDANCE MATCHING CIRCUITS AND METHODS OF FABRICATION
(FR) CIRCUITS D'ADAPTATION D'IMPÉDANCE MICRO-ÉLECTROMÉCANIQUE À AJUSTEMENT AUTOMATIQUE ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A self-tuning impedance-matching microelectromechanical (MEMS) circuit, methods for making and using the same, and circuits including the same are disclosed. The MEMS circuit includes a tunable reactance element connected to a first mechanical spring, a separate tunable or fixed reactance element, and an AC signal source configured to provide an AC signal to the tunable reactance element(s). The reactance elements comprise a capacitor and an inductor. The AC signal source creates an electromagnetically energy favorable state for the tunable reactance element(s) at resonance with the AC signal. The method of making generally includes forming a first MEMS structure and a second mechanical or MEMS structure in/on a mechanical layer above an insulating substrate, and coating the first and second structures with a conductor to form a first tunable reactance element and a second tunable or fixed reactance element, as in the MEMS circuit.
(FR)L'invention concerne un circuit microélectromécanique (MEMS) à adaptation d'impédance à ajustement automatique, des procédés de fabrication et d'utilisation de celui-ci, et des circuits comprenant ceux-ci. Le circuit MEMS comprend un élément à réactance ajustable connecté à un premier ressort mécanique, un élément à réactance ajustable ou fixe séparé, et une source de signal CA configurée pour fournir un signal CA à ou aux éléments de réactance ajustables. Les éléments de réactance comprennent un condensateur et un inducteur. La source de signal CA crée un état d'énergie favorable dur le plan électromagnétique pour le ou les éléments de réactance ajustables à la résonance avec le signal CA. Le procédé de fabrication consiste généralement à former une première structure MEMS et une seconde structure mécanique ou MEMS dans/sur une couche mécanique au-dessus d'un substrat isolant, et revêtir les première et seconde structures avec un conducteur pour former un premier élément de réactance ajustable et un second élément de réactance ajustable ou fixe, comme dans le circuit MEMS.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)