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1. (WO2018048682) AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION AMÉLIORÉ AVEC CIRCUIT DE PRÉCHARGE DE LIGNE DE BITS POUR LIRE DES CELLULES DE MÉMOIRE FLASH DANS UN RÉSEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/048682    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/049228
Date de publication : 15.03.2018 Date de dépôt international : 29.08.2017
CIB :
G11C 14/00 (2006.01), G11C 11/00 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01), G11C 15/00 (2006.01), G11C 16/06 (2006.01)
Déposants : SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : SHENG, Bin; (CN).
ZHOU, Yao; (CN).
WANG, Tao; (CN).
QIAN, Xiaozhou; (CN).
GUO, Lu; (CN).
BAI, Ning; (CN)
Mandataire : YAMASHITA, Brent; (US)
Données relatives à la priorité :
201610815185.0 09.09.2016 CN
15/690,159 29.08.2017 US
Titre (EN) IMPROVED SENSE AMPLIFIER WITH BIT LINE PRE-CHARGE CIRCUIT FOR READING FLASH MEMORY CELLS IN AN ARRAY
(FR) AMPLIFICATEUR DE DÉTECTION AMÉLIORÉ AVEC CIRCUIT DE PRÉCHARGE DE LIGNE DE BITS POUR LIRE DES CELLULES DE MÉMOIRE FLASH DANS UN RÉSEAU
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an improved sense amplifier for reading values in flash memory cells in an array. In one embodiment, a sense amplifier comprises an improved pre- charge circuit for pre-charging a bit line during a pre-charge period to increase the speed of read operations. In another embodiment, a sense amplifier comprises simplified address decoding circuitry to increase the speed of read operations.
(FR)La présente invention concerne un amplificateur de détection amélioré pour lire des valeurs dans des cellules de mémoire flash dans un réseau. Selon un mode de réalisation, un amplificateur de détection comprend un circuit de précharge amélioré pour précharger une ligne de bits pendant une période de précharge pour augmenter la vitesse d'opérations de lecture. Selon un autre mode de réalisation, un amplificateur de détection comprend des circuits de décodage d'adresse simplifiés pour augmenter la vitesse d'opérations de lecture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)