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1. (WO2018048594) ÉLIMINATION D'UN DÉPÔT D'UNE ENTRETOISE EN NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/048594 N° de la demande internationale : PCT/US2017/047209
Date de publication : 15.03.2018 Date de dépôt international : 16.08.2017
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/3213 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC.[US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US
Inventeurs : KO, Jungmin; US
CHOI, Tom; US
Mandataire : MCCORMICK, Daniel, K.; US
BERNARD, Gene J.; US
Données relatives à la priorité :
15/260,70509.09.2016US
Titre (EN) FOOTING REMOVAL FOR NITRIDE SPACER
(FR) ÉLIMINATION D'UN DÉPÔT D'UNE ENTRETOISE EN NITRURE
Abrégé : front page image
(EN) Processing methods may be performed to remove unwanted materials from a substrate, such as an oxide footing. The methods may include forming an inert plasma within a processing region of a processing chamber. Effluents of the inert plasma may be utilized to modify a surface of an exposed material on a semiconductor substrate within the processing region of the semiconductor chamber. A remote plasma may be formed from a fluorine-containing precursor to produce plasma effluents. The methods may include flowing the plasma effluents to the processing region of the semiconductor processing chamber. The methods may also include removing the modified surface of the exposed material from the semiconductor substrate.
(FR) Selon l'invention, des procédés de traitement peuvent être mis en œuvre afin d'éliminer des matériaux indésirables d'un substrat, tel qu'un dépôt d'oxyde. Les procédés peuvent comprendre la formation d'un plasma inerte dans une région de traitement d'une chambre de traitement. Des effluents du plasma inerte peuvent être utilisés de manière à modifier une surface d'un matériau exposé sur un substrat semi-conducteur dans la région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteurs. Un plasma à distance peut être formé à partir d'un précurseur contenant du fluor de façon à produire des effluents de plasma. Les procédés peuvent consister à faire s'écouler les effluents de plasma vers la région de traitement de la chambre de traitement de semi-conducteurs. Les procédés peuvent également consister à éliminer du substrat semi-conducteur la surface modifiée du matériau exposé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)