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1. (WO2018048482) EMPILEMENT DE TRANCHES EN VUE DE FORMER UNE STRUCTURE LIÉE MULTI-TRANCHE
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N° de publication :    WO/2018/048482    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/030796
Date de publication : 15.03.2018 Date de dépôt international : 03.05.2017
CIB :
H01L 21/67 (2006.01), H01L 21/683 (2006.01)
Déposants : RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449 (US)
Inventeurs : CAHILL, Andrew; (US).
GETTY, Jonathan; (US).
LOFGREEN, Daniel, D.; (US).
DRAKE, Paul, A.; (US)
Mandataire : MOOSEY, Anthony, T.; (US).
MOFFORD, Donald, F.; (US).
ROBINSON, Kermit; (US).
DURKEE, Paul, D.; (US).
MILMAN, Seth, A.; (US).
DALY, Christopher, S.; (US).
CROOKER, Albert, C.; (US).
CROWLEY, Judith, C.; (US).
DOWNING, Marianne, M.; (US).
THOMAS, William, R.; (US).
WHITE, James, M.; (US).
ROUILLE, David, W.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/258,300 07.09.2016 US
Titre (EN) WAFER STACKING TO FORM A MULTI-WAFER-BONDED STRUCTURE
(FR) EMPILEMENT DE TRANCHES EN VUE DE FORMER UNE STRUCTURE LIÉE MULTI-TRANCHE
Abrégé : front page image
(EN)In one aspect, a method includes heating a wafer chuck, heating a first wafer, depositing a first epoxy along at least a portion of a surface of the first wafer disposed on the wafer chuck, spinning the wafer chuck to spread the first epoxy at least partially across the first wafer, placing a second wafer on the first epoxy disposed on the first wafer and bonding the second wafer to the first epoxy under vacuum to form a two-wafer-bonded structure.
(FR)Selon un aspect de la présente invention, un procédé consiste : à chauffer un support individuel de tranche ; à chauffer une première tranche ; à déposer un premier époxy le long d'au moins une partie d'une surface de la première tranche se trouvant sur le support individuel de tranche ; à faire tourner le support individuel de tranche en vue de répandre le premier époxy, au moins en partie, sur l'ensemble de la première tranche ; à placer une deuxième tranche sur le premier époxy se trouvant sur la première tranche ; et à lier sous vide la deuxième tranche au premier époxy en vue de former une structure liée à deux tranches.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)