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1. (WO2018047284) FIL ÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
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N° de publication :    WO/2018/047284    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/076535
Date de publication : 15.03.2018 Date de dépôt international : 09.09.2016
CIB :
H01B 7/00 (2006.01), H01B 9/00 (2006.01), H01B 11/00 (2006.01)
Déposants : KYORAKU INDUSTRIAL HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 210 Nakasuna-cho, Tenpaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4680065 (JP).
KINJOH Toru [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : KINJOH Toru; (JP)
Mandataire : KUMEGAWA Masamitsu; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ELECTRIC WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) FIL ÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 電線およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an electric wire which has good electrical properties, and is based on novel characteristics of crystalline nano-diamond semiconductor particles. This electric wire has a conducting wire and an electron acceleration layer. The electron acceleration layer is disposed in contact with or in proximity to the conducting wire, includes crystalline nano-diamond semiconductor particles having spontaneous charges, and accelerates free electrons flowing through the conducting wire. The crystalline nano-diamond semiconductor particles preferably have a particle size of 3-8 nm, and more preferably have an activation energy level of 0.3-0.7 eV.
(FR)L'invention concerne un fil électrique qui présente de bonnes propriétés électriques, et qui est basé sur de nouvelles caractéristiques de particules semi-conductrices de nano-diamant cristallin. Ce fil électrique a un fil conducteur et une couche d'accélération d'électrons. La couche d'accélération d'électrons est disposée en contact avec ou à proximité du fil conducteur, comprend des particules semi-conductrices de nano-diamant cristallin ayant des charges spontanées, et accélère les électrons s’écoulant à travers le fil conducteur. Les particules semi-conductrices de nano-diamant cristallin ont de préférence une taille de particule de 3 à 8 nm, et ont de préférence un niveau d'énergie d'activation de 0,3 à 0,7 eV.
(JA)結晶系ナノダイヤモンド半導体粒子の新規な特性に着目し、優れた電気的特性を有する電線を提供する。 電線は、導線と、電子加速層とを有する。電子加速層は、導線に当接または近接して配置され、自発電荷を有する結晶系ナノダイヤモンド半導体粒子を含み、導線中を流れる自由電子を加速させる。結晶系ナノダイヤモンド半導体粒子は、3nm以上8nm以下の粒子径を有することが好ましく、より好ましくは、その活性化エネルギーレベルが0.3eV以上0.7eV以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)