Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018046884) DISPOSITIF DE COMMUTATION CEM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/046884 N° de la demande internationale : PCT/GB2017/052454
Date de publication : 15.03.2018 Date de dépôt international : 18.08.2017
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
ARM LTD [GB/GB]; 110 Fulbourn Road Cambridge CB1 9NJ, GB
Inventeurs :
REID, Kimberly Gay; GB
SHIFREN, Lucian; GB
ARAUJO, Carlos Paz de; GB
CELINSKA, Jolanta; GB
Mandataire :
TLIP LTD; 14 King Street Leeds LS1 2HL, GB
Données relatives à la priorité :
15/260,51509.09.2016US
Titre (EN) A CEM SWITCHING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE COMMUTATION CEM
Abrégé :
(EN) The present techniques generally relate to a method for the manufacture of a CEM switching device providing that the CEM layer comprises a doped metal compound substantially free from metal wherein ions of the same metal element are present in different oxidation states. The method may provide a CEM layer which is born on and capable of switching with operating voltages below 2.0V.
(FR) Les présentes techniques concernent généralement un procédé de fabrication d'un dispositif de commutation CEM suivant lequel la couche CEM comprend un composé métallique dopé sensiblement exempt de métal, des ions du même élément métallique étant présents dans différents états d'oxydation. Le procédé peut fournir une couche CEM qui est portée et capable de commuter avec des tensions de fonctionnement inférieures à 2,0 V.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)