Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018046855) PROCÉDÉ DE TRI DE PLAQUETTES EN SILICIUM EN FONCTION DE LEUR DURÉE DE VIE VOLUMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/046855 N° de la demande internationale : PCT/FR2017/052375
Date de publication : 15.03.2018 Date de dépôt international : 07.09.2017
CIB :
H01L 31/18 (2006.01) ,C30B 29/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02
Eléments
06
Silicium
Déposants :
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES; 25 Rue Leblanc Bâtiment le Ponant D 75015 Paris, FR
Inventeurs :
LETTY, Elénore; FR
FAVRE, Wilfried; FR
VEIRMAN, Jordi; FR
Mandataire :
LEBKIRI, Alexandre; FR
Données relatives à la priorité :
165836808.09.2016FR
Titre (EN) METHOD FOR SORTING SILICON WAFERS ACCORDING TO THEIR BULK LIFETIME
(FR) PROCÉDÉ DE TRI DE PLAQUETTES EN SILICIUM EN FONCTION DE LEUR DURÉE DE VIE VOLUMIQUE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a Czochralski-type method for sorting wafers obtained by cutting a single-crystal silicon ingot, the method being implemented when the wafers are in an as-cut state or in a shaped-surface state. The method comprises the following steps: a) measuring the majority free charge carrier concentration in at least one area of each wafer; b) calculating the thermal donor concentration in said area of each wafer, on the basis of the majority free charge carrier concentration; c) calculating the charge carrier lifetime limited by the thermal donors in said area of each wafer, on the basis of the thermal donor concentration; d) determining a bulk lifetime value for the charge carriers in each wafer on the basis of the lifetime limited by the thermal donors; e) comparing the bulk lifetime value or a normalised bulk lifetime value with a threshold value; and f) discarding the wafer when the bulk lifetime value or the normalised bulk lifetime value is lower than the threshold value.
(FR) L'invention concerne un procédé de tri de plaquettes obtenues par découpage d'un lingot en silicium monocristallin de type Czochralski, ce procédé étant mis en œuvre lorsque les plaquettes sont dans un état brut de découpe ou dans un état de mise en forme de leur surface. Il comprend les étapes suivantes : a) mesurer la concentration en porteurs de charge libres majoritaires dans une zone au moins de chaque plaquette; b) calculer la concentration en donneurs thermiques dans ladite zone de chaque plaquette, à partir de la concentration en porteurs de charge libres majoritaires; c) calculer la durée de vie des porteurs de charge limitée par les donneurs thermiques dans ladite zone de chaque plaquette, à partir de la concentration en donneurs thermiques; d) déterminer une valeur de durée de vie volumique des porteurs de charge dans chaque plaquette, à partir de la durée de vie limitée par les donneurs thermiques; e) comparer la valeur de durée de vie volumique ou une valeur normalisée de la durée de vie volumique à une valeur seuil; et f) écarter la plaquette lorsque la valeur de durée de vie volumique ou la valeur normalisée de la durée de vie volumique est inférieure à la valeur seuil.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)