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1. (WO2018045298) COMMUTATEUR À FAIBLE CAPACITÉ POUR PGA OU PGIA
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N° de publication :    WO/2018/045298    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/049876
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 01.09.2017
CIB :
H01L 29/772 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way Norwood, Massachusetts 02062 (US)
Inventeurs : HERRERA, Sandro; (US).
JEFFERY, Alan K.; (US)
Mandataire : ARORA, Suneel; (US).
WOO, Justin N., Reg. No. 62,686; (US).
BLACK, David W., Reg. No. 42,331; (US).
GOULD, James R., Reg. No. 72,086; (US).
BEEKMAN, Marvin L., Reg. No. 38,377; (US).
BIANCHI, Timothy E., Reg. No. 39,610; (US).
MCCRACKIN, Ann M., Reg. No. 42,858; (US).
PERDOK, Monique M., Reg. No. 42,989; (US).
SCHEER, Bradley W., Reg. No. 47,059; (US)
Données relatives à la priorité :
15/254,782 01.09.2016 US
15/254,696 01.09.2016 US
Titre (EN) LOW CAPACITANCE SWITCH FOR PGA OR PGIA
(FR) COMMUTATEUR À FAIBLE CAPACITÉ POUR PGA OU PGIA
Abrégé : front page image
(EN)A low capacitance n-channel analog switch circuit, a p-channel analog switch circuit, and a full CMOS transmission gate (T-gate) circuit are described. Resistive decoupling can be used to isolate the switch or T-gate from AC grounds. A semiconductor region that is separated from a body region of a pass field-effect transistor (FET), such as by an insulator, can be coupled to or driven to a voltage similar to the input voltage or other desired bias voltage (e.g., an operational amplifier output) to help reduce parasitic capacitance of the switch or T-gate. The switch or T-gate can help provide improved frequency bandwidth or frequency response. The switch can be useful in a programmable gain amplifier (PGA) or programmable gain instrumentation amplifier (PGIA) or other circuit in which excessive switch capacitance could degrade circuit performance.
(FR)L'invention concerne un circuit de commutation analogique à canal n à faible capacité, un circuit de commutation analogique à canal p, et un circuit de grille de transmission entièrement CMOS (grille T). Un découplage résistif peut être utilisé pour isoler le commutateur ou la grille en T par rapport à des masses de courant alternatif. Une région semi-conductrice qui est séparée d'une région de corps d'un transistor à effet de champ de passage (FET), par exemple par un isolateur, peut être couplée ou actionnée à une tension similaire à la tension d'entrée ou à une autre tension de polarisation souhaitée (par exemple, une sortie d'amplificateur fonctionnelle) pour mieux réduire la capacité parasite du commutateur ou de la grille T. Le commutateur ou la grille T permettent d'améliorer une largeur de bande de fréquence ou une réponse en fréquence. Le commutateur peut être utile dans un amplificateur de gain programmable (PGA) ou un amplificateur d'instrumentation de gain programmable (PGIA), ou un autre circuit dans lequel une capacité de commutation excessive pourrait dégrader les performances du circuit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)