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1. (WO2018045251) COUCHE DE NUCLÉATION POUR LA CROISSANCE DE STRUCTURES DE NITRURE III
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N° de publication : WO/2018/045251 N° de la demande internationale : PCT/US2017/049783
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 31.08.2017
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants :
LABOUTIN, Oleg [US/US]; US (US)
KAO, Chen-kai; US (US)
LO, Chien-fong; US (US)
JOHNSON, Wayne [US/US]; US (US)
MARCHAND, Hugues [US/US]; US (US)
IQE, PLC [GB/GB]; IQE PLC Head Office Pascal Close St. Mellons, Cardiff CF3 0LW, GB
Inventeurs :
LABOUTIN, Oleg; US
KAO, Chen-kai; US
LO, Chien-fong; US
JOHNSON, Wayne; US
MARCHAND, Hugues; US
Mandataire :
INGERMAN, Jeffrey; US
LIU, Jiaping (charlene); US
Données relatives à la priorité :
15/256,17002.09.2016US
Titre (EN) NUCLEATION LAYER FOR GROWTH OF III-NITRIDE STRUCTURES
(FR) COUCHE DE NUCLÉATION POUR LA CROISSANCE DE STRUCTURES DE NITRURE III
Abrégé :
(EN) Nucleation layers for growth of Ill-nitride structures, and methods for growing the nucleation layers, are described herein. A semiconductor can include a silicon substrate and a nucleation layer over the silicon substrate. The nucleation layer can include silicon and deep-level dopants. The semiconductor can include a Ill-nitride layer formed over the nucleation layer. At least one of the silicon substrate and the nucleation layer can include ionized contaminants. In addition, a concentration of the deep-level dopants is at least as high as a concentration of the ionized contaminants.
(FR) L'invention concerne des couches de nucléation pour la croissance de structures de nitrure III, et des procédés de croissance des couches de nucléation. Un semi-conducteur peut comprendre un substrat de silicium et une couche de nucléation sur le substrat de silicium. La couche de nucléation peut comprendre des dopants de silicium et de niveau profond. Le semi-conducteur peut comprendre une couche de nitrure III formée sur la couche de nucléation. Le substrat de silicium et/ou la couche de nucléation peuvent comprendre des contaminants ionisés. De plus, une concentration des dopants de niveau profond est au moins aussi élevée que la concentration des contaminants ionisés.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)