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1. (WO2018045197) ALGORITHME DE DÉTECTION DE POINT FINAL POUR GRAVURE DE COUCHE ATOMIQUE (ALE)
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N° de publication : WO/2018/045197 N° de la demande internationale : PCT/US2017/049663
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 31.08.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants :
TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325, JP
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741, US (JP)
Inventeurs :
CHEN, Yan; US
TIAN, Xinkang; US
FERNS, Jason; US
Mandataire :
MASON, Derek J.; US
Données relatives à la priorité :
62/382,90402.09.2016US
Titre (EN) ENDPOINT DETECTION ALGORITHM FOR ATOMIC LAYER ETCHING (ALE)
(FR) ALGORITHME DE DÉTECTION DE POINT FINAL POUR GRAVURE DE COUCHE ATOMIQUE (ALE)
Abrégé :
(EN) Described herein are architectures, platforms and methods for determining endpoints of an optical emission spectroscopy (OES) data acquired from a plasma processing system. The OES data, for example, includes an absorption - step process, a desorption - step process, or a combination thereof. In this example, the OES data undergoes signal synchronization and transient signal filtering prior to endpoint determination, which may be implemented through an application of a moving average filter.
(FR) La présente invention concerne des architectures, des plateformes et des procédés de détermination de points finaux d’une spectroscopie d’émission optique (OES) acquis à partir d’un système de traitement par plasma. Les données OES, par exemple, comprennent un processus d’étape d’absorption, un processus d’étape de désorption, ou une combinaison de ceux-ci. Dans cet exemple, les données OES subissent une synchronisation de signal et un filtrage de signal transitoire avant une détermination de point final, qui peuvent être mis en œuvre au moyen d’une application d’un filtre moyen mobile.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)