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1. (WO2018045175) TRANSISTORS VERTICAUX À BASE D'OXYDE DE GALLIUM NORMALEMENT BLOQUÉS AYANT DES COUCHES DE BLOCAGE D'ALGAN DE TYPE P

Pub. No.:    WO/2018/045175    International Application No.:    PCT/US2017/049625
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Sep 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/772
H01L 29/423
H01L 29/66
Applicants: HRL LABORATORIES, LLC
Inventors: CAO, Yu
LI, Zijian
Title: TRANSISTORS VERTICAUX À BASE D'OXYDE DE GALLIUM NORMALEMENT BLOQUÉS AYANT DES COUCHES DE BLOCAGE D'ALGAN DE TYPE P
Abstract:
La présente invention concerne un transistor à effet de champ qui comprend un substrat d'oxyde de gallium de type n ayant une première concentration de dopage ; une couche de migration d'oxyde de gallium de type n sur un premier côté du substrat et ayant une deuxième concentration de dopage inférieure à la première concentration de dopage, une première couche de base de nitrure III de type p sur la couche de migration, et une couche de source de nitrure III de type n sur la première couche de base et ayant une troisième concentration de dopage supérieure à la deuxième concentration de dopage. Un procédé de formation du transistor à effet de champ consiste à fournir une couche de migration d'oxyde de gallium de type n ayant une première concentration de dopage sur un premier côté d'un substrat d'oxyde de gallium de type n ayant une deuxième concentration de dopage supérieure à la première concentration de dopage, à former une première couche de base de nitrure III de type p sur la couche de migration, et à former une couche de source de nitrure III de type n sur la première couche de base et ayant une troisième concentration de dopage supérieure à la première concentration de dopage.