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1. (WO2018044904) RÉFLECTOMÉTRIE SPECTRALE POUR SURVEILLANCE ET RÉGULATION IN SITU DE PROCESSUS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/044904 N° de la demande internationale : PCT/US2017/049138
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 29.08.2017
CIB :
G01N 21/95 (2006.01) ,G01N 21/55 (2006.01) ,G01N 21/25 (2006.01) ,G01N 21/88 (2006.01) ,G01N 21/956 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84
Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88
Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95
caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17
Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
55
Réflexion spéculaire
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17
Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
25
Couleur; Propriétés spectrales, c. à d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84
Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88
Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84
Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88
Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95
caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
956
Inspection de motifs sur la surface d'objets
Déposants : KLA-TENCOR CORPORATION[US/US]; Legal Dept. One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventeurs : JAIN, Prateek; US
WACK, Daniel; US
PETERLINZ, Kevin; US
SHCHEGROV, Andrei; US
KRISHNAN, Shankar; US
Mandataire : MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M.N.; US
Données relatives à la priorité :
15/688,75128.08.2017US
62/380,74829.08.2016US
Titre (EN) SPECTRAL REFLECTOMETRY FOR IN-SITU PROCESS MONITORING AND CONTROL
(FR) RÉFLECTOMÉTRIE SPECTRALE POUR SURVEILLANCE ET RÉGULATION IN SITU DE PROCESSUS
Abrégé :
(EN) Methods and systems for performing in-situ, selective spectral reflectometry (SSR) measurements of semiconductor structures disposed on a wafer are presented herein. Illumination light reflected from a wafer surface is spatially imaged. Signals from selected regions of the image are collected and spectrally analyzed, while other portions of the image are discarded. In some embodiments, a SSR includes a dynamic mirror array (DMA) disposed in the optical path at or near a field plane conjugate to the surface of the semiconductor wafer under measurement. The DMA selectively blocks the undesired portion of wafer image. In other embodiments, a SSR includes a hyperspectral imaging system including a plurality of spectrometers each configured to collect light from a spatially distinct area of a field image conjugate to the wafer surface. Selected spectral signals associated with desired regions of the wafer image are selected for analysis.
(FR) L'invention concerne des procédés et des systèmes pour la réalisation in situ de mesures de réflectométrie spectrale sélective (SSR) concernant des structures semi-conductrices disposées sur une tranche. Une lumière d'éclairage réfléchie par la surface d'une tranche est imagée spatialement. Des signaux provenant de régions sélectionnées de l'image sont recueillis et analysés spectralement, tandis que d'autres parties de l'image sont rejetées. Dans certains modes de réalisation, une SSR fait intervenir un réseau de miroirs dynamiques (DMA) disposé sur le trajet optique au niveau ou à proximité d'un plan de champ conjugué à la surface de la tranche à semi-conducteurs faisant l'objet des mesures. Le DMA bloque sélectivement la partie non souhaitée de l'image de la tranche. Dans d'autres modes de réalisation, une SSR fait intervenir un système d'imagerie hyperspectrale comprenant une pluralité de spectromètres configurés chacun pour recueillir de la lumière en provenance d'une zone spatialement distincte d'une image de champ conjuguée à la surface de la tranche. Des signaux spectraux sélectionnés associés à des régions souhaitées de l'image de la tranche sont sélectionnés en vue de leur analyse.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)