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1. (WO2018044713) PROCÉDÉ DE GRAVURE DE COUCHE QUASI-ATOMIQUE DE NITRURE DE SILICIUM

Pub. No.:    WO/2018/044713    International Application No.:    PCT/US2017/048600
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Aug 26 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/3065
H01L 21/3213
H01L 21/311
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC.
Inventors: SHERPA, Sonam D.
RANJAN, Alok
Title: PROCÉDÉ DE GRAVURE DE COUCHE QUASI-ATOMIQUE DE NITRURE DE SILICIUM
Abstract:
La présente invention concerne un procédé de gravure. Le procédé consiste à fournir un substrat ayant un premier matériau contenant du nitrure de silicium et un second matériau qui est différent du premier matériau, à former un premier mélange chimique par excitation plasma d'un premier gaz de traitement contenant du H et éventuellement un gaz noble, et à exposer le premier matériau sur le substrat au premier mélange chimique. Ensuite, le procédé consiste à former un second mélange chimique par excitation plasma d'un second gaz de traitement contenant du N, du F, du O, et facultativement un élément noble, et à exposer le premier matériau sur le substrat au second gaz de traitement excité par plasma afin de graver sélectivement le premier matériau par rapport au second matériau.