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1. (WO2018044607) DISPOSITIF MÉMOIRE HYBRIDE
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N° de publication : WO/2018/044607 N° de la demande internationale : PCT/US2017/047787
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 21.08.2017
CIB :
H01L 27/108 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
108
Structures de mémoires dynamiques à accès aléatoire
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
Inventeurs :
RYAN, Kevin J.; US
PRALL, Kirk D.; US
RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal; US
QUINN, Robert; US
Mandataire :
HARRIS, Philip W.; US
Données relatives à la priorité :
15/252,88631.08.2016US
Titre (EN) A HYBRID MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF MÉMOIRE HYBRIDE
Abrégé :
(EN) Methods, systems, and devices for a hybrid memory device are described. The hybrid memory device may include volatile and non-volatile memory cells on a single substrate, or die. The non-volatile memory cells may have ferroelectric capacitors and the volatile memory cells may have paraelectric or linear dielectric capacitors for their respective logic storage components. In some examples, the volatile memory cells may be used as a cache for the non-volatile memory cells. Or the non-volatile memory cells may be used as a back-up for the volatile memory cells. By placing both types of cells on a single die, rather than separate dies, various performance metrics may be improved, including those related to power consumption and operation speed.
(FR) L'invention concerne des procédés, des systèmes et des dispositifs destinés à un dispositif mémoire hybride. Le dispositif mémoire hybride peut comprendre des cellules de mémoire volatile et non volatile sur un seul substrat ou une seule puce. Les cellules de mémoire non volatile peuvent comprendre des condensateurs ferroélectriques et les cellules de mémoire volatile peuvent comprendre des condensateurs diélectriques paraélectriques ou linéaires destinés à leurs composants de stockage logique respectifs. Dans certains exemples, les cellules de mémoire volatile peuvent servir de mémoire cache aux cellules de mémoire non volatile, ou les cellules de mémoire non volatile peuvent servir de sauvegarde aux cellules de mémoire volatile. En plaçant les deux types de cellules sur une seule puce plutôt que sur des puces séparées, diverses métriques de performance peuvent être améliorées, notamment les métriques de performance liées à la consommation d'énergie et à la vitesse de fonctionnement.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)