Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2018044572) MESURES OPTIQUES BASÉES SUR UN MODÈLE DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES UTILISANT LA PERMITTIVITÉ DIÉLECTRIQUE ANISOTROPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2018/044572 N° de la demande internationale : PCT/US2017/047159
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 16.08.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; Legal Department One Technology Drive Milpitas, California 95035, US
Inventeurs :
CHOUAIB, Houssam; US
ZHAO, Qiang; US
SHCHEGROV, Andrei; US
TAN, Zhengquan; US
Mandataire :
MCANDREWS, Kevin; US
MORRIS, Elizabeth M. N; US
Données relatives à la priorité :
15/649,84314.07.2017US
62/381,98731.08.2016US
Titre (EN) MODEL BASED OPTICAL MEASUREMENTS OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH ANISOTROPIC DIELECTRIC PERMITTIVITY
(FR) MESURES OPTIQUES BASÉES SUR UN MODÈLE DE STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES UTILISANT LA PERMITTIVITÉ DIÉLECTRIQUE ANISOTROPE
Abrégé :
(EN) Methods and systems for performing optical, model based measurements of a small sized semiconductor structure employing an anisotropic characterization of the optical dispersion properties of one or more materials comprising the structure under measurement are presented herein. This reduces correlations among geometric parameters and results in improved measurement sensitivity, improved measurement accuracy, and enhanced measurement contrast among multiple materials under measurement. In a further aspect, an element of a multidimensional tensor describing the dielectric permittivity of the materials comprising the structure is modelled differently from another element. In a further aspect, model based measurements are performed based on measurement data collected from two or more measurement subsystems combined with an anisotropic characterization of the optical dispersion of the materials under measurement. In another aspect, the characterization of the optical dispersion of one or more materials comprising the structure under measurement depends on the geometry of the structure.
(FR) L'invention se rapporte à des procédés et des systèmes de réalisation de mesures optiques basées sur un modèle d'une structure semi-conductrice de petite taille utilisant une caractérisation anisotrope des propriétés de dispersion optique d'au moins un matériau comprenant la structure en cours de mesure. Ceci permet de réduire les corrélations entre des paramètres géométriques et d'obtenir une sensibilité, une précision et un contraste de mesure améliorés parmi de multiples matériaux en cours de mesure. Selon un autre aspect, un élément d'un tenseur multidimensionnel décrivant la permittivité diélectrique des matériaux comprenant la structure est modélisé différemment d'un autre élément. Selon un aspect supplémentaire, des mesures basées sur un modèle sont réalisées sur la base de données de mesure recueillies à partir d'au moins deux sous-systèmes de mesure combinées à une caractérisation anisotrope de la dispersion optique des matériaux en cours de mesure. Dans un autre aspect de l'invention, la caractérisation de la dispersion optique d'au moins un matériau comprenant la structure en cours de mesure dépend de la géométrie de la structure.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)