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1. (WO2018044514) CIRCUITS ET PROCÉDÉS FOURNISSANT UNE CAPACITÉ MUTUELLE DANS DES CONNEXIONS ÉLECTRIQUES VERTICALES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/044514    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/045888
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 08.08.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.01.2018    
CIB :
H05K 1/02 (2006.01), H05K 1/11 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01), H05K 1/16 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : PATHMANATHAN, Priyatharshan; (US).
PATEL, Devarshi; (US).
NORTHGRAVE, Dennis Allen; (US).
ROBERTS, Kyle; (US)
Mandataire : KELTON, Thomas W.; (US).
WEBB, Gregory P.; (US).
CHEN, Tom; (US).
MICHELSON, Gregory J.; (US).
HALLMAN, Jonathan; (US).
WELCH, Henry L.; (US).
FOWLES, Adam; (US).
NGUYEN, Thuc B.; (US).
EDWARDS, Gary J.; (US).
LI, Eric; (US).
PATTANI, Pranay; (US).
HUH, Gregory; (US)
Données relatives à la priorité :
15/255,412 02.09.2016 US
Titre (EN) CIRCUITS AND METHODS PROVIDING MUTUAL CAPACITANCE IN VERTICAL ELECTRICAL CONNECTIONS
(FR) CIRCUITS ET PROCÉDÉS FOURNISSANT UNE CAPACITÉ MUTUELLE DANS DES CONNEXIONS ÉLECTRIQUES VERTICALES
Abrégé : front page image
(EN)An electrical device including a structure having a plurality of dielectric layers, the structure further having a plurality of vertical electrical connections extending from a top layer of the dielectric layers to a bottom layer of the dielectric layers, a first vertical electrical connection of the plurality of vertical electrical connections including a first capacitive structure that extends in a plane perpendicular to a vertical dimension of the vertical electrical connection, wherein the first capacitive structure is disposed on a first dielectric layer of the plurality of dielectric layers, wherein the first dielectric layer is below the top layer, and a second vertical electrical connection of the plurality of vertical electrical connections including a second capacitive structure extending in the plane and disposed on the first dielectric layer.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électrique qui comprend une structure ayant une pluralité de couches diélectriques, la structure ayant en outre une pluralité de connexions électriques verticales s'étendant d'une couche supérieure des couches diélectriques à une couche inférieure des couches diélectriques, une première connexion électrique verticale de la pluralité de connexions électriques verticales comprenant une première structure capacitive qui s'étend dans un plan perpendiculaire à une dimension verticale de la connexion électrique verticale, la première structure capacitive étant disposée sur une première couche diélectrique de la pluralité de couches diélectriques, la première couche diélectrique se trouvant en dessous de la couche supérieure, et une seconde connexion électrique verticale de la pluralité de connexions électriques verticales comprenant une seconde structure capacitive s'étendant dans le plan et disposée sur la première couche diélectrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)