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1. (WO2018044512) PROCÉDÉS DE FORMATION DE STRUCTURES DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT DES STRUCTURES DE MATÉRIAU BIDIMENSIONNEL
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N° de publication : WO/2018/044512 N° de la demande internationale : PCT/US2017/045852
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 08.08.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
06
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
Déposants :
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Mailstop 525 Boise, Idaho 83707, US
Inventeurs :
MEADE, Roy E.; US
PANDEY, Sumeet C.; US
Mandataire :
FLORES, Jesse M; US
WALKOWSKI, Joseph A.; US
GUNN, J. Jeffrey; US
HAMER, Katherine A.; US
BAKER, Gregory C.; US
WATSON, James C.; US
WHITLOCK, Nathan E.; US
PULLEY, Stephen E.; US
GUTKE, Steven W.; US
BACA, Andrew J.; US
BEZDJIAN, Daniel J.; US
Données relatives à la priorité :
15/253,45431.08.2016US
Titre (EN) METHODS OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES INCLUDING TWO-DIMENSIONAL MATERIAL STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION DE STRUCTURES DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT DES STRUCTURES DE MATÉRIAU BIDIMENSIONNEL
Abrégé :
(EN) A method of forming a semiconductor device structure comprises forming at least one 2D material over a substrate. The at least one 2D material is treated with at least one laser beam having a frequency of electromagnetic radiation corresponding to a resonant frequency of crystalline defects within the at least one 2D material to selectively energize and remove the crystalline defects from the at least one 2D material. Additional methods of forming a semiconductor device structure, and related semiconductor device structures, semiconductor devices, and electronic systems are also described.
(FR) Un procédé de formation d'une structure de dispositif à semi-conducteur comprend la formation d'au moins un matériau 2D sur un substrat. L'au moins un matériau 2D est traité avec au moins un faisceau laser ayant une fréquence de rayonnement électromagnétique correspondant à une fréquence de résonance de défauts cristallins à l'intérieur de l'au moins un matériau 2D pour exciter et éliminer sélectivement les défauts cristallins à partir de l'au moins un matériau 2D. L'invention concerne des procédés supplémentaires de formation d'une structure de dispositif à semi-conducteur, et des structures de dispositif à semi-conducteur, des dispositifs à semi-conducteur et des systèmes électroniques associés.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)