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1. (WO2018044494) TRANSFERT DE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR POREUSE POUR UNE STRUCTURE DE CIRCUIT INTÉGRÉ

Pub. No.:    WO/2018/044494    International Application No.:    PCT/US2017/045287
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri Aug 04 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/78
H01L 21/84
H01L 21/762
Applicants: QUALCOMM INCORPORATED
Inventors: HAMMOND, Richard
GOKTEPELI, Sinan
Title: TRANSFERT DE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR POREUSE POUR UNE STRUCTURE DE CIRCUIT INTÉGRÉ
Abstract:
Cette invention concerne une structure de circuit intégré radiofréquence (RF) qui peut comprendre un dispositif actif sur une surface avant d'une couche de dispositif à semi-conducteur. Une surface arrière opposée à la surface avant de la couche de dispositif à semi-conducteur peut être supportée par une couche diélectrique arrière. La structure de circuit intégré RF peut également comprendre un substrat de poignée sur une couche diélectrique côté avant qui se trouve sur un côté avant du dispositif actif et au moins une partie de la surface côté avant de la couche de dispositif à semi-conducteur. La structure de circuit intégré RF peut en outre comprendre la couche diélectrique arrière sur la surface arrière de la couche de dispositif à semi-conducteur. La couche diélectrique arrière peut être disposée de manière distale par rapport à la couche diélectrique avant.