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1. (WO2018044494) TRANSFERT DE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR POREUSE POUR UNE STRUCTURE DE CIRCUIT INTÉGRÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/044494    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/045287
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 03.08.2017
CIB :
H01L 21/78 (2006.01), H01L 21/84 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : HAMMOND, Richard; (GB).
GOKTEPELI, Sinan; (US)
Mandataire : LENKIN, Alan M.; (US).
LUTZ, Joseph; (US).
PARTOW-NAVID, Puya; (US).
FASHU-KANU, Alvin V.; (US)
Données relatives à la priorité :
15/256,341 02.09.2016 US
Titre (EN) POROUS SEMICONDUCTOR LAYER TRANSFER FOR AN INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE
(FR) TRANSFERT DE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR POREUSE POUR UNE STRUCTURE DE CIRCUIT INTÉGRÉ
Abrégé : front page image
(EN)An integrated radio frequency (RF) circuit structure may include an active device on a front-side surface of a semiconductor device layer. A backside surface opposite the front-side surface of the semiconductor device layer may be supported by a backside dielectric layer. The integrated RF circuit structure may also include a handle substrate on a front-side dielectric layer that is on a front-side of the active device and a least a portion of the front-side surface of the semiconductor device layer. The integrated RF circuit structure may further include the backside dielectric layer on the backside surface of the semiconductor device layer. The backside dielectric layer may be arranged distal from the front-side dielectric layer.
(FR)Cette invention concerne une structure de circuit intégré radiofréquence (RF) qui peut comprendre un dispositif actif sur une surface avant d'une couche de dispositif à semi-conducteur. Une surface arrière opposée à la surface avant de la couche de dispositif à semi-conducteur peut être supportée par une couche diélectrique arrière. La structure de circuit intégré RF peut également comprendre un substrat de poignée sur une couche diélectrique côté avant qui se trouve sur un côté avant du dispositif actif et au moins une partie de la surface côté avant de la couche de dispositif à semi-conducteur. La structure de circuit intégré RF peut en outre comprendre la couche diélectrique arrière sur la surface arrière de la couche de dispositif à semi-conducteur. La couche diélectrique arrière peut être disposée de manière distale par rapport à la couche diélectrique avant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)