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1. (WO2018044487) APPAREILS ET PROCÉDÉS COMPRENANT UNE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ET PERMETTANT D'ACCÉDER À UNE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/044487    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/045182
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 02.08.2017
CIB :
G11C 11/22 (2006.01), H01L 27/11502 (2017.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Boise, Idaho 83716 (US)
Inventeurs : DERNER, Scott J.; (US).
KAWAMURA, Christopher J.; (US)
Mandataire : ENG, Kimton; (US).
ENG, Kimton; (US).
HAEN, Shannon; (US).
HEGSTROM, Brandon; (US).
ITO, Mika; (US).
MAKINO, Kyoko; (US).
MEIKLEJOHN, Paul T.; (US).
NYRE, Erik; (US).
ORME, Nathan; (US).
QUECAN, Andrew; (US).
SPAITH, Jennifer; (US).
STERN, Ronald; (US).
WETZEL, Elen; (US).
ANDKEN, Kerrylee; (US)
Données relatives à la priorité :
62/381,900 31.08.2016 US
Titre (EN) APPARATUSES AND METHODS INCLUDING FERROELECTRIC MEMORY AND FOR ACCESSING FERROELECTRIC MEMORY
(FR) APPAREILS ET PROCÉDÉS COMPRENANT UNE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE ET PERMETTANT D'ACCÉDER À UNE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Apparatuses and methods are disclosed that include ferroelectric memory and for accessing ferroelectric memory. An example method includes increasing a voltage of a first cell plate of a capacitor to change the voltage of a second cell plate of the capacitor, a second digit line, and a second sense node. The voltage of the second cell plate and the second digit line is decreased to change the voltage of the first cell plate, a first digit line, and a first sense node. The first node is driven to a first voltage and the second node is driven to a second voltage responsive to the voltage of the first node being greater than the second node. The first node is driven to the second voltage and the second node is driven to the first voltage responsive to the voltage of the first node being greater than the second node
(FR)L'invention concerne des appareils et des procédés qui comprennent une mémoire ferroélectrique et qui permettent d'accéder à une mémoire ferroélectrique. Un procédé donné à titre d'exemple consiste à augmenter une tension d'une première plaque de cellule d'un condensateur pour modifier la tension d'une seconde plaque de cellule du condensateur, d'une seconde ligne de chiffres et d'un second nœud de détection. La tension de la seconde plaque de cellule et de la seconde ligne de chiffres est diminuée pour modifier la tension de la première plaque de cellule, d'une première ligne de chiffre et d'un premier nœud de détection. Le premier nœud est entraîné à une première tension et le second nœud est entraîné à une seconde tension en réponse à la tension du premier nœud qui est supérieure au second nœud. Le premier nœud est entraîné à la seconde tension et le second nœud est entraîné à la première tension en réponse à la tension du premier nœud qui est supérieure au second nœud
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)