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1. (WO2018044485) CELLULES DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUES

Pub. No.:    WO/2018/044485    International Application No.:    PCT/US2017/045167
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu Aug 03 01:59:59 CEST 2017
IPC: G11C 11/22
H01L 27/11507
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Inventors: DERNER, Scott J.
KAWAMURA, Christopher J.
Title: CELLULES DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUES
Abstract:
L'invention concerne des appareils et des procédés qui comprennent des cellules de mémoire ferroélectriques. Une cellule de mémoire ferroélectrique donnée à titre d'exemple comprend deux transistors et deux condensateurs. Une autre autre cellule de mémoire ferroélectrique donnée à titre d'exemple comprend trois transistors et deux condensateurs. Une autre autre cellule de mémoire ferroélectrique donnée à titre d'exemple comprend quatre transistors et deux condensateurs.