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1. (WO2018044457) CELLULES DE MÉMOIRE ET MATRICES MÉMOIRE

Pub. No.:    WO/2018/044457    International Application No.:    PCT/US2017/044653
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Aug 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/108
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Inventors: DERNER, Scott J.
SHORE, Michael Amiel
Title: CELLULES DE MÉMOIRE ET MATRICES MÉMOIRE
Abstract:
Certains modes de réalisation comprennent une cellule de mémoire ayant des premier et second transistors et des premier et second condensateurs. Le premier condensateur est déplacé verticalement par rapport au premier transistor. Le premier condensateur a un premier nœud couplé électriquement à une région de source/drain du premier transistor, un second nœud couplé électriquement à une structure de plaque commune, et un premier matériau diélectrique de condensateur entre les premier et second nœuds. Le second condensateur est déplacé verticalement par rapport au second transistor. Le second condensateur a un troisième nœud couplé électriquement à une région de source/drain du second transistor, un quatrième nœud couplé électriquement à la structure de plaque commune, et un second matériau diélectrique de condensateur entre les premier et second nœuds. Certains modes de réalisation comprennent des matrices mémoire comportant des cellules de mémoire 2T-2C.