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1. (WO2018044456) CELLULES DE MÉMOIRE ET MATRICES MÉMOIRE

Pub. No.:    WO/2018/044456    International Application No.:    PCT/US2017/044638
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Aug 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/108
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Inventors: YANG, Gloria
MATHEW, Suraj J.
SINGANAMALLA, Raghunath
NAIR, Vinay
DERNER, Scott, J.
SHORE, Michael, Amiel
KEETH, Brent
SIMSEK-EGE, Fatma Arzum
TRAN, Diem Thy N.
Title: CELLULES DE MÉMOIRE ET MATRICES MÉMOIRE
Abstract:
Certains modes de réalisation comprennent une cellule de mémoire ayant des premier et second transistors, et un condensateur déplacé verticalement par rapport aux premier et second transistors. Le condensateur comprend un premier nœud couplé électriquement à une région de source/drain du premier transistor, un second nœud couplé électriquement à une région de source/drain du second transistor, et un matériau diélectrique de condensateur entre les premier et second nœuds. Certains modes de réalisation comprennent une cellule de mémoire ayant des premier et second transistors déplacés verticalement l'un par rapport à l'autre, et un condensateur entre les premier et second transistors. Le condensateur comprend un premier nœud couplé électriquement à une région de source/drain du premier transistor, un second noeud couplé électriquement à une région de source/drain du second transistor, et un matériau diélectrique de condensateur entre les premier et second nœuds.