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1. (WO2018044454) CELLULES MÉMOIRES ET MATRICES MÉMOIRES

Pub. No.:    WO/2018/044454    International Application No.:    PCT/US2017/044633
Publication Date: Fri Mar 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Tue Aug 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/108
Applicants: MICRON TECHNOLOGY, INC.
Inventors: MATHEW, Suraj, J.
SINGANAMALLA, Raghunath
AHMED, Fawad
BROWN, Kris, K.
NAIR, Vinay
YANG, Gloria
SIMSEK-EGE, Fatma, Arzum
TRAN, Diem, Thy N.
Title: CELLULES MÉMOIRES ET MATRICES MÉMOIRES
Abstract:
Certains modes de réalisation de la présente invention comprennent une cellule mémoire ayant des premier, deuxième et troisième transistors, les deuxième et troisième transistors étant déplacés verticalement l'un par rapport à l'autre. La cellule mémoire comporte un pilier semi-conducteur s'étendant le long des deuxième et troisième transistors, le pilier semi-conducteur contenant des régions de canal et des régions de source/drain des deuxième et troisième transistors. Un condensateur peut être couplé électriquement entre une région de source/drain du premier transistor et une grille du second transistor.