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1. (WO2018044267) DISPOSITIFS À POINTS QUANTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2018/044267 N° de la demande internationale : PCT/US2016/049368
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 30.08.2016
CIB :
H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventeurs :
GEORGE, Hubert C.; US
PILLARISETTY, Ravi; US
ROBERTS, Jeanette M.; US
THOMAS, Nicole K.; US
CLARKE, James S.; US
KEYS, Patrick H.; US
Mandataire :
ZAGER, Laura A.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) QUANTUM DOT DEVICES
(FR) DISPOSITIFS À POINTS QUANTIQUES
Abrégé :
(EN) Disclosed herein are quantum dot devices, as well as related computing devices and methods. For example, in some embodiments, a quantum dot device may include: a quantum well stack; an insulating material disposed above the quantum well stack, wherein the insulating material includes a trench extending toward the quantum well stack; first and second gates disposed at least partially in the trench; spacers disposed on sides of the first and second gates in the trench, wherein a first spacer is disposed on a side of the first gate proximate to the second gate, and a second spacer, physically separate from the first spacer, is disposed on a side of the second gate proximate to the first gate; and a third gate disposed at least partially in the trench between the first and second gates and extending between the first and second spacers.
(FR) L'invention concerne des dispositifs à points quantiques, ainsi que des dispositifs et des procédés de calcul associés. Par exemple, dans certains modes de réalisation, un dispositif à points quantiques peut comprendre : une pile de puits quantiques; un matériau isolant disposé au-dessus de la pile de puits quantiques, le matériau isolant comprenant une tranchée s'étendant vers la pile de puits quantiques; des première et seconde grilles disposées au moins partiellement dans la tranchée; des entretoises disposées sur les côtés des première et seconde grilles dans la tranchée, un première entretoise étant disposée sur un côté de la première grille à proximité de la seconde grille, et un seconde entretoise, physiquement séparée de la première entretoise, est disposée sur un côté de la seconde grille à proximité de la première grille; et une troisième grille disposée au moins partiellement dans la tranchée entre les première et deuxième grilles et s'étendant entre les première et deuxième entretoises.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)