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1. (WO2018044257) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE
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N° de publication :    WO/2018/044257    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/049197
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 29.08.2016
CIB :
H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549 (US)
Inventeurs : MAJHI, Prashant; (US).
PILLARISETTY, Ravi; (US).
KARPOV, Elijah V.; (US).
MUKHERJEE, Niloy; (US).
CLARKE, James S.; (US)
Mandataire : ZAGER, Laura A.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE VIVE RÉSISTIVE
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein are resistive random access memory (RRAM) devices, and related memory cells and electronic devices. In some embodiments, an RRAM device may include a bottom electrode, an oxygen exchange layer (OEL), and an oxide layer. The bottom electrode may be disposed between the OEL and a substrate, and the OEL may be disposed between the oxide layer and the bottom electrode.
(FR)L'invention concerne des dispositifs de mémoire vive résistive (RRAM), et des cellules de mémoire et des dispositifs électroniques associés. Dans certains modes de réalisation, un dispositif RRAM peut comprendre une électrode inférieure, une couche d'échange d'oxygène (OEL) et une couche d'oxyde. L'électrode inférieure peut être disposée entre l'OEL et un substrat, et l'OEL peut être disposée entre la couche d'oxyde et l'électrode inférieure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)