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1. (WO2018044237) FILM DE CHALCOGÉNURE, DISPOSITIF LE COMPRENANT ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
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N° de publication : WO/2018/044237 N° de la demande internationale : PCT/SG2017/050434
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 31.08.2017
CIB :
H01L 31/0264 (2006.01) ,C23C 16/30 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
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caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
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Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
Déposants :
NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY [SG/SG]; 50 Nanyang Avenue Singapore 639798, SG
Inventeurs :
YU, Xuechao; SG
YU, Peng; SG
WANG, Qijie; SG
LIU, Zheng; SG
Mandataire :
VIERING, JENTSCHURA & PARTNER LLP; P.O Box 1088, Rochor Post Office, Rochor Road Singapore 911833, SG
Données relatives à la priorité :
10201607347V02.09.2016SG
Titre (EN) CHALCOGENIDE FILM, DEVICE INCLUDING, AND METHOD OF FORMING THE SAME
(FR) FILM DE CHALCOGÉNURE, DISPOSITIF LE COMPRENANT ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
Abrégé :
(EN) The invention relates to a chalcogenide film comprising a noble metal chalcogenide material having a formula MCx. M may represent a noble metal, C may represent a chalcogen, x may be any one positive value equal to or more than 1.4 and less than 2. The chalcogenide film may be configured to generate electrons and holes upon light incident on the chalcogenide film. A method of producing a chalcogenide fil m with increased vacancy or defect is provided, wherein increasing vacancies or defects may lead to decrease in bandgap and enhance absorption at wavelength range such as mid-infrared. Said chalcogenide film is used in a device including photodetector or a solar cell.
(FR) Cette invention concerne un film de chalcogénure comprenant un matériau de chalcogénure de métal noble de formule MCx. M peut représenter un métal noble, C peut représenter un chalcogène, x peut être n'importe quelle valeur positive supérieure ou égale à 1,4 et inférieure à 2. Le film de chalcogénure peut être configuré pour générer des électrons et des trous au contact d'une lumière incidente sur le film de chalcogénure. L'invention concerne en outre un procédé de production d'un film de chalcogénure présentant une lacune ou un défaut accru(e), le développement des lacunes ou défauts pouvant conduire à une diminution de la bande interdite et à l'amélioration de l'absorption dans une plage de longueurs d'onde telle que l'infrarouge moyen. Ledit film de chalcogénure est utilisé dans un dispositif comprenant un photodétecteur ou une cellule solaire.
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)