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1. (WO2018044167) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE RÉALISATION D'UNE DÉTECTION DE DÉFAUT SUR UNE COUCHE OU D'UNE CARACTÉRISATION D'UNE COUCHE D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OU D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR SEMI-MANUFACTURÉ
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N° de publication : WO/2018/044167 N° de la demande internationale : PCT/NL2017/050575
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 31.08.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01) ,G01N 29/00 (2006.01) ,G01Q 60/32 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
29
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi d'ondes ultrasonores, sonores ou infrasonores; Visualisation de l'intérieur d'objets par transmission d'ondes ultrasonores ou sonores à travers l'objet
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
Q
TECHNIQUES OU APPAREILS À SONDE À BALAYAGE; APPLICATIONS DES TECHNIQUES DE SONDE À BALAYAGE, p.ex. MICROSCOPIE À SONDE À BALAYAGE [SPM]
60
Types particuliers de microscopie à sonde à balayage SPM [Scanning-Probe Microscopy] ou appareils à cet effet; Composants essentiels de ceux-ci
24
Microscopie à forces atomiques AFM [Atomic Force Microscopy] ou appareils à cet effet, p.ex. sondes AFM
32
Mode vibrant
Déposants :
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna van Buerenplein 1 2595 DA 's-Gravenhage, NL
Inventeurs :
SADEGHIAN MARNANI, Hamed; NL
VAN ES, Maarten Hubertus; NL
MEIJER TIMMERMAN THIJSSEN, Rutger; NL
Mandataire :
JANSEN, C.M.; V.O. P.O. Box 87930 2508 DH Den Haag, NL
Données relatives à la priorité :
16186518.331.08.2016EP
Titre (EN) METHOD OF AND SYSTEM FOR PERFORMING DEFECT DETECTION ON OR CHARACTERIZATION OF A LAYER OF A SEMICONDUCTOR ELEMENT OR SEMI-MANUFACTURED SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME DE RÉALISATION D'UNE DÉTECTION DE DÉFAUT SUR UNE COUCHE OU D'UNE CARACTÉRISATION D'UNE COUCHE D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR OU D'UN ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR SEMI-MANUFACTURÉ
Abrégé :
(EN) The present document relates to a method of performing defect detection on a self-assembled monolayer of a semiconductor element or semi- manufactured semiconductor element, using an atomic force microscopy system. The system comprises a probe with a probe tip, and is configured for positioning the probe tip relative to the element for enabling contact between the probe tip and a surface of the element. The system comprises a sensor providing an output signal indicative of a position of the probe tip. The method comprises: scanning the surface with the probe tip; applying an acoustic vibration signal to the element; obtaining the output signal indicative of the position of the probe tip; monitoring probe tip motion during said scanning for mapping the surface of the semiconductor element, and using a fraction of the output signal for mapping contact stiffness indicative of a binding strength.
(FR) La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une détection de défaut sur une monocouche auto-assemblée d'un élément semi-conducteur ou d'un élément semi-conducteur semi-manufacturé, à l'aide d'un système de microscopie à force atomique. Le système comprend une sonde dotée d'une pointe de sonde, et est conçu pour positionner la pointe de sonde par rapport à l'élément pour permettre un contact entre la pointe de sonde et une surface de l'élément. Le système comprend un capteur fournissant un signal de sortie indiquant la position de la pointe de sonde. Le procédé consiste à : balayer la surface avec la pointe de sonde ; appliquer un signal de vibration acoustique à l'élément ; obtenir le signal de sortie indiquant la position de la pointe de sonde ; surveiller le mouvement de la pointe de sonde pendant ledit balayage pour cartographier la surface de l'élément semi-conducteur, et utiliser une fraction du signal de sortie pour cartographier une rigidité de contact indiquant une force de liaison.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)