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1. (WO2018043897) FILM POLYIMIDE POUR PROCESSUS DE REFUSION DE BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2018/043897    N° de la demande internationale :    PCT/KR2017/006871
Date de publication : 08.03.2018 Date de dépôt international : 29.06.2017
CIB :
H01L 21/48 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 23/488 (2006.01), H01L 23/498 (2006.01), H01L 23/00 (2006.01)
Déposants : IPI TECH INC. [KR/KR]; 272-27, Munji-ro Yuseong-gu Daejeon 34050 (KR)
Inventeurs : LEE, Kye-Ung; (KR).
PARK, Ho-Young; (KR).
LEE, Tea-Seok; (KR)
Mandataire : DAE-A INTELLECTUAL PROPERTY CONSULTING; 3F, Hanyang Bldg., 123 Yeoksam-ro Gangnam-gu Seoul 06243 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0110930 30.08.2016 KR
Titre (EN) POLYIMIDE FILM FOR SEMICONDUCTOR PACKAGE REFLOW PROCESS, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) FILM POLYIMIDE POUR PROCESSUS DE REFUSION DE BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 반도체 패키지 리플로우 공정용 폴리이미드 필름 및 그 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are a polyimide film for a semiconductor package reflow process, and a manufacturing method therefor, the polyimide film being capable of ensuring ease of attachment/detachment of a semiconductor chip after a reflow process is completed, by means of the application of a thermoplastic polyimide layer having a glass transition temperature less than or equal to a reflow process temperature.
(FR)L'invention concerne un film polyimide pour un procédé de refusion de boîtier de semi-conducteur, et son procédé de fabrication, le film polyimide étant apte à assurer une facilité de fixation/détachement d'une puce en semi-conducteur après que le processus de refusion ait été achevé, au moyen de l'application d'une couche polyimide thermoplastique ayant une température de transition vitreuse inférieure ou égale à une température de traitement de refusion.
(KO)리플로우 공정 온도 이하의 유리전이온도를 갖는 열가소성 폴리이미드층의 적용으로 리플로우 공정 완료 후 반도체 칩의 탈부착에 대한 용이성을 확보할 수 있는 반도체 패키지 리플로우 공정용 폴리이미드 필름 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)